类别3——电子
3A 系统、装备及零件
注释：
1. 项目3A001或3A002所描述的(项目3A001(a)(3)至3A001(a)(10)、3A001(a)(12)至3A001(a)(14)及3A001(b)(12)所描述除外)为其他装备而特别设计，或具有与其他装备相同的功能特性的装备及零件的管制状况，由该其他装备的管制状况决定。 (2023年第85号法律公告)
2. 项目3A001(a)(3)至3A001(a)(9)、3A001(a)(12)至3A001(a)(14)所述，为其他装备的特定功能作不可变更程式或设计的集成电路的管制状况，由该其他装备的管制状况决定。
注意：
当制造商或申请者无法决定其他装备的管制状况时，该集成电路的管制状况应于项目3A001(a)(3)至3A001(a)(9)、3A001(a)(12)至3A001(a)(14)中决定。 (2009年第226号法律公告；2015年第27号法律公告)
3. 功能已确定的晶图(完成或未完成)的状况应依据项目3A001(a)、3A001(b)、3A001(d)、3A001(e)(4)、3A001(g)、3A001(h)或3A001(i)的参数评估。 (2023年第85号法律公告)
(2013年第89号法律公告；2021年第89号法律公告)
3A001 以下的电子物品： (2021年第89号法律公告)
(a) 以下的一般用途集成电路：
注释：
集成电路包括下列类型： (2023年第85号法律公告)
“单块集成电路”；
“混合集成电路”；
“多晶粒集成电路”；
“薄膜型集成电路”，包括矽成长在蓝宝石上的集成电路；
“光集成电路”； (2015年第27号法律公告)
“三维集成电路”； (2021年第89号法律公告)
“单块微波集成电路” (“MMICs”)。 (2021年第89号法律公告)
(2023年第85号法律公告)
(1) 经设计或评定为辐射硬化至下列任何一项的集成电路：
(a) 可承受5×103戈瑞(矽)或以上的总剂量； (2004年第65号法律公告)
(b) 可承受5×106戈瑞(矽)／秒或以上的剂量率；或 (2004年第65号法律公告)
(c) 可承受5×1013中子／平方厘米或以上的硅中子通量(集成通量)(相等于1兆电子伏)，或其他物料的相等通量；
注释：
项目3A001(a)(1)(c)不适用于金属绝缘半导体(MIS)。 (2004年第65号法律公告)
(2) 具有下列任何特性的“微处理器微电路”、“微电脑微电路”、微控制器微电路、由化合物半导体所制造的贮存集成电路、模拟－数字转换器、包含模拟-数字转换器及储存或处理数码化资料的集成电路、数字－模拟转换器、为“讯号处理”而设计的光电及“光集成电路”、可场程式逻辑装置、未知其功能或其应用装备的管制状况的客户委托型集成电路、快速傅里叶转换(FFT)处理器、静态随机存取记忆体(SRAMs)或‘非易失性记忆体’： (2001年第132号法律公告；2008年第254号法律公告；2021年第89号法律公告)
(a) 评定为可于开氏398度(摄氏125度)以上的周围温度操作；
(b) 评定为可于开氏218度(摄氏-55度)以下的周围温度操作；或
(c) 评定为可于开氏218度(摄氏-55度)至开氏398度(摄氏125度)整个周围温度范围内操作；
注释：
项目3A001(a)(2)不适用于为民用汽车或火车应用而设计的集成电路。 (2023年第85号法律公告)
技术注释：
‘非易失性记忆体’是在电源关闭后的一段时间内，仍保留资料的记忆体。 (2021年第89号法律公告)
(3) 由化合物半导体制造，并以时钟频率超过40兆赫操作的“微处理器微电路”、“微电脑微电路”及微控制器微电路；
注释：
项目3A001(a)(3)包括数字讯号处理器、数码阵列处理器及数码协力处理器。 (2006年第95号法律公告)
(4) (由2011年第161号法律公告废除)
(5) 以下的模拟－数字转换器(ADC)及数字－模拟转换器(DAC)集成电路： (2011年第161号法律公告)
(a) 具有以下任何特性的模拟-数字转换器：
注意：
1. 亦须参阅项目3A101。
2. 至于包含模拟-数字转换器及储存或处理数码化资料的集成电路，参阅项目3A001(a)(14)。
(1) 解析度为8位元或以上，但少于10位元，而“样本率”大于1.3每秒千兆样本数目；
(2) 解析度为10位元或以上，但少于12位元，而“样本率”大于600每秒兆样本数目；
(3) 解析度为12位元或以上，但少于14位元，而“样本率”大于400每秒兆样本数目；
(4) 解析度为14位元或以上，但少于16位元，而“样本率”大于250每秒兆样本数目；
(5) 解析度为16位元或以上，而“样本率”大于65每秒兆样本数目；
技术注释：
1. n位元解析度相当于2n级的量化。
2. 模拟-数字转换器的解析度，是由该模拟-数字转换器的数字输出位元数目所呈现的测得模拟输入。有效位元数目(ENOB)不会用以釐定模拟-数字转换器的解析度。
3. 就“多频道模拟-数字转换器”而言，其“样本率”不会被聚集，而该“样本率”则为任何一条单一频道的最高率。
4. 就“交叉模拟-数字转换器”或指明具有交叉操作模式的“多频道模拟-数字转换器”而言，其“样本率”会被聚集，而该“样本率”是所有交叉频道合计的总最高率。 (2021年第89号法律公告)
(b) 具有以下任何特性的数字－模拟转换器(DAC)：
(1) 解析度为10位元或以上，但少于12位元，而‘修正更新率’的每秒以兆计的样本数目超过3 500； (2023年第85号法律公告)
(2) 解析度为12位元或以上，并具有以下任何特性：
(a) ‘修正更新率’的每秒以兆计的样本数目超过1 250，但不超过3 500，并具有以下任何特性：
(1) 安定时间少于9毫微秒至0.024%的全幅阶；
(2) 当综合100兆赫的全幅模拟讯号或低于100兆赫的指明最高全幅模拟讯号频率时，‘无杂波动态范围’(SFDR)大于68载波分贝(载体)；
(b) ‘修正更新率’的每秒以兆计的样本数目超过3 500； (2023年第85号法律公告)
技术注释：
1. ‘无杂波动态范围’(SFDR)的定义为在数字－模拟转换器的输入处的载体频率(最高讯号零件)的均方根值相对于在其输出处的第二大声音或谐波失真零件的均方根值的比率。
2. 无杂波动态范围直接透过规格表或无杂波动态范围相对于频率的特性标绘图测定。
3. 当讯号的振幅大于–3分贝满刻度记录(全幅)，该讯号会被定义为全幅。
4. 数字－模拟转换器的‘修正更新率’为：
(a) 就传统(非内插式)数字－模拟转换器而言，‘修正更新率’是数字讯号转换为模拟讯号以及数字－模拟转换器改变输出模拟值的速度。就可跨越内插模式的数字－模拟转换器(内插因子为1)而言，该数字－模拟转换器可被视为传统(非内插式)数字－模拟转换器。
(b) 就内插式数字－模拟转换器(超采样数字－模拟转换器)而言，‘修正更新率’的定义为数字－模拟转换器的更新率除以最小内插因子。就内插式数字－模拟转换器而言，‘修正更新率’可参照以下不同名词，包括：
(1) 数据输入率；
(2) 字词输入率；
(3) 样本输入率；
(4) 最大总汇流输入率；及
(5) 数字－模拟转换器计时器时钟脉冲输入的数字－模拟转换器计时器最高时钟频率。 (2011年第161号法律公告)
(6) 具有下列各项而作为“讯号处理”的光电及“光集成电路”：
(a) 内含一个或以上的“雷射器”二极管；
(b) 内含一个或以上的光侦测元件；及
(c) 光导波器；
(7) 具有下列任何一项特性的可场程式逻辑装置： (2017年第42号法律公告)
(a) 单端数码输入或输出的最大数量为700以上； (2013年第89号法律公告)
(b) ‘单向最高串行收发器的总数据率’为每秒500千兆位元或大于每秒500千兆位元； (2013年第89号法律公告；2017年第42号法律公告)
注释：
项目3A001(a)(7)包括：
—复杂可程式逻辑装置(CPLDs)
—可场程式闸阵列(FPGAs)
—可场程式逻辑阵列(FPLAs)
—可场程式相互连结装置(FPICs)
(2021年第89号法律公告)
注意：
至于结合模拟-数字转换器的可场程式逻辑装置集成电路，参阅项目3A001(a)(14)。 (2021年第89号法律公告)
技术注释：
1. 项目3A001(a)(7)(a)的数码输入或输出的最大数量亦称为最大用者输入或输出量或最大可用输入或输出量，不论其集成电路属封装或裸晶粒。 (2009年第226号法律公告；2017年第42号法律公告)
2. ‘单向最高串行收发器的总数据率’是最高串行单向收发器数据率乘以可场程式闸阵列上收发器数量得出的数值。 (2013年第89号法律公告；2017年第42号法律公告)
(8) 已删除； (2001年第132号法律公告)
(9) 类神经网络集成电路；
(10) 制造商未知其功能或其应用装备的管制状况，而具有任何下列一项特性的客户委托型集成电路；
(a) 超过1 500个接脚； (2001年第132号法律公告)
(b) 典型的“基本闸传递延迟时间”少于0.02毫微秒；或 (2001年第132号法律公告)
(c) 操作频率超过3千兆赫； (2009年第226号法律公告)
(11) 项目3A001(a)(3)至3A001(a)(10)及3A001(a)(12)所述以外的以任何化合物半导体为主的数字集成电路，并具有任何下列一项特性：
(a) 超过3 000等效闸数(2个输入闸)；或 (2001年第132号法律公告)
(b) 触发频率超过1.2千兆赫；
(12) 对N-点复数FFT的额定执行时间少于(N log2 N)/20 480毫秒的快速傅里叶转换(FFT)处理器，其中N为点数；
技术注释：
如N等于1 024点，项目3A001(a)(12)的方程式计算出的执行时间为500微秒。 (2001年第132号法律公告)
(13) 具有下列任何特性的直接数字频率合成器(DDS)集成电路：
(a) 数字－模拟转换器(DAC)时钟频率为3.5千兆赫或更高，以及数字－模拟转换器(DAC)解析度为10位元或更高，但少于12位元；
(b) 数字－模拟转换器(DAC)时钟频率为1.25千兆赫或更高，以及数字－模拟转换(DAC)解析度为12位元或更高；
技术注释：
数字－模拟转换器(DAC)时钟频率可指明为主时钟频率或输入时钟频率。 (2013年第89号法律公告)
(14) 发挥或可程式设计发挥以下所有功能的集成电路：
(a) 符合以下任何描述的模拟-数字转换功能：
(1) 解析度为8位元或以上，但少于10位元，而“样本率”大于1.3每秒千兆样本数目；
(2) 解析度为10位元或以上，但少于12位元，而“样本率”大于1.0每秒千兆样本数目；
(3) 解析度为12位元或以上，但少于14位元，而“样本率”大于1.0每秒千兆样本数目；
(4) 解析度为14位元或以上，但少于16位元，而“样本率”大于400每秒兆样本数目；
(5) 解析度为16位元或以上，而“样本率”大于180每秒兆样本数目；
(b) 以下任何一项功能：
(1) 储存数码化资料；
(2) 处理数码化资料；
注意：
1. 至于模拟-数字转换器集成电路，参阅项目3A001(a)(5)(a)。
2. 至于可场程式逻辑装置，参阅项目3A001(a)(7)。
技术注释：
1. n位元解析度相当于2n级的量化。
2. 模拟-数字转换器的解析度，是由该模拟-数字转换器的数字输出位元数目所呈现的测得模拟输入。有效位元数目(ENOB)不会用以釐定模拟-数字转换器的解析度。
3. 就具有非交叉“多频道模拟-数字转换器”的集成电路而言，其“样本率”不会被聚集，而该“样本率”则为任何一条单一频道的最高率。
4. 就具有“交叉模拟-数字转换器”的集成电路或指明具有交叉操作模式的“多频道模拟-数字转换器”的集成电路而言，其“样本率”会被聚集，而该“样本率”是所有交叉频道合计的总最高率。 (2021年第89号法律公告)
(b) 以下的微波或毫米波物品： (2021年第89号法律公告)
技术注释：
就项目3A001(b)而言，在产品资料单张中，参数峰值饱和功率输出可称为输出功率、饱和功率输出、最大功率输出、峰值功率输出或峰包功率输出。 (2015年第27号法律公告)
(1) 以下的“真空电子装置”及阴极： (2021年第89号法律公告)
注释∶
1. 项目3A001(b)(1)不管制额定于或在设计上供于符合下列两项特性的任何频带内操作的“真空电子装置”∶ (2021年第89号法律公告)
(a) 不超过31.8千兆赫；及
(b) “由国际电信联盟指配”用于无线电通讯服务，但并非用于无线电测定。
2. 项目3A001(b)(1)不管制符合下列两项特性的并非属“太空级”的“真空电子装置”∶ (2021年第89号法律公告)
(a) 平均输出功率相等于或小于50瓦；及
(b) 额定于或在设计上供于符合下列两项特性的任何频带内操作：
(1) 超过31.8千兆赫但不超过43.5千兆赫；及
(2) “由国际电信联盟指配”用于无线电通讯服务，但并非用于无线电测定。 (2004年第65号法律公告)
(a) 以下的脉冲波或连续波行波“真空电子装置”：
(1) 操作频率超过31.8千兆赫的装置； (2023年第85号法律公告)
(2) 具有可在少于3秒内启动至额定射频(RF)功率的阴极加热元件的装置； (2023年第85号法律公告)
(3) 耦腔式行波装置或该等耦腔式行波装置的衍生物，而其“分频宽”超过7%或峰值功率超过2.5千瓦；
(4) 以螺旋线、摺叠导波器或蛇形导波器电路或其衍生物为基础的装置，并具有以下任何一项特性： (2023年第85号法律公告)
(a) “瞬间频宽”超过一个倍频，而平均功率(千瓦)乘以频率(千兆赫)超过0.5；
(b) “瞬间频宽”为一个或以下倍频，而平均功率(千瓦)乘以频率(千兆赫)超过1；
(c) 属“太空级”；
(d) 具备栅控电子枪；
(5) “分频宽”超过或等于10%的装置，并具备以下任何一项∶ (2023年第85号法律公告)
(a) 环形电子束；
(b) 非轴向对称电子束；
(c) 多重电子束； (2021年第89号法律公告)
(b) 增益超过17分贝的交叉场放大“真空电子装置”； (2021年第89号法律公告)
(c) 为使“真空电子装置”可在额定操作条件下发射电流密度超过5安培╱平方厘米，或可在额定操作条件下发射脉冲(非连续)电流密度超过10安培╱平方厘米而设计的热离子阴极； (2021年第89号法律公告)
(d) 具有‘双重模式’操作功能的“真空电子装置”；
技术注释：
‘双重模式’指可使用栅蓄意切换连续波与脉冲模式操作的“真空电子装置”束电流，并产生大于连续波输出功率的峰值脉冲输出功率。 (2021年第89号法律公告)
(2) 具有以下任何特性的“单块微波集成电路” (“MMIC”)放大器：
注意：
至于具备集成移相器的“MMIC”放大器，参阅项目3A001(b)(12)。 (2021年第89号法律公告)
(a) 额定于2.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的频率操作，而“分频宽”超过15%，并具有任何下述特性∶
(1) 在2.7千兆赫以上至2.9千兆赫(包括2.9千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过75瓦(48.75 dBm)；
(2) 在2.9千兆赫以上至3.2千兆赫(包括3.2千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过55瓦(47.4 dBm)；
(3) 在3.2千兆赫以上至3.7千兆赫(包括3.7千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过40瓦(46 dBm)；
(4) 在3.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过20瓦(43 dBm)；
(b) 额定于6.8千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的频率操作，而“分频宽”超过10%，并具有任何下述特性∶
(1) 在6.8千兆赫以上至8.5千兆赫(包括8.5千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过10瓦(40 dBm)；
(2) 在8.5千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过5瓦(37 dBm)；
(c) 额定于16千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过3瓦(34.77 dBm)，而“分频宽”超过10%；
(d) 额定于31.8千兆赫以上至37千兆赫(包括37千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过0.1纳瓦(-70 dBm)；
(e) 额定于37千兆赫以上至43.5千兆赫(包括43.5千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过1瓦(30 dBm)，而“分频宽”超过10%；
(f) 额定于43.5千兆赫以上至75千兆赫(包括75千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过31.62毫瓦(15 dBm)，而“分频宽”超过10%；
(g) 额定于75千兆赫以上至90千兆赫(包括90千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过10毫瓦(10 dBm)，而“分频宽”超过5%；
(h) 额定于90千兆赫以上的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过0.1纳瓦(-70 dBm)； (2015年第27号法律公告)
注释：
1. (由2011年第161号法律公告废除)
2. 如“MMIC”的额定操作频率，涵盖列于超过一个频率范围(由项目3A001(b)(2)(a)至3A001(b)(2)(h)所界定)的频率，该“MMIC”的管制状况，须按当中最低的峰值饱和功率输出限度断定。 (2015年第27号法律公告)
3. 在类别3分类别3A中的注释1及2的意思是如“MMICs”是为其他用途(例如电讯、雷达、汽车)而特别设计，则项目3A001(b)(2)不适用于该等“MMICs”。 (2004年第65号法律公告；2011年第161号法律公告；2021年第89号法律公告)
(3) 符合任何下述说明的离散微波晶体管：
(a) 额定于2.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的频率操作，并具有任何下述特性∶
(1) 在2.7千兆赫以上至2.9千兆赫(包括2.9千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过400瓦(56 dBm)；
(2) 在2.9千兆赫以上至3.2千兆赫(包括3.2千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过205瓦(53.12 dBm)；
(3) 在3.2千兆赫以上至3.7千兆赫(包括3.7千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过115瓦(50.61 dBm)；
(4) 在3.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过60瓦(47.78 dBm)；
(b) 额定于6.8千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的频率操作，并具有任何下述特性∶
(1) 在6.8千兆赫以上至8.5千兆赫(包括8.5千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过50瓦(47 dBm)；
(2) 在8.5千兆赫以上至12千兆赫(包括12千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过15瓦(41.76 dBm)；
(3) 在12千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过40瓦(46 dBm)；
(4) 在16千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过7瓦(38.45 dBm)；
(c) 额定于31.8千兆赫以上至37千兆赫(包括37千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过0.5瓦(27 dBm)；
(d) 额定于37千兆赫以上至43.5千兆赫(包括43.5千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过1瓦(30 dBm)；
(e) 额定于43.5千兆赫以上的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过0.1纳瓦(-70 dBm)；
(f) (项目3A001(b)(3)(a)至3A001(b)(3)(e)所指明者除外)额定于任何超过8.5千兆赫但不多于31.8千兆赫的频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过5瓦(37.0 dBm)； (2021年第89号法律公告)
注释：
1. 如项目3A001(b)(3)(a)至3A001(b)(3)(e)所述的晶体管的额定操作频率，涵盖列于超过一个频率范围(由项目3A001(b)(3)(a)至3A001(b)(3)(e)所界定)的频率，该晶体管的管制状况，须按当中最低的峰值饱和功率输出限度断定。 (2023年第85号法律公告)
2. 项目3A001(b)(3)包括裸芯片、安装在承载体上的芯片、或安装在包装上的芯片。部分离散晶体管可称为功率放大器，但该等离散晶体管的管制状况，须按项目3A001(b)(3)断定。 (2015年第27号法律公告)
(4) 符合任何下述说明的固态微波放大器及含有固态微波放大器的微波组件╱模组∶
(a) 额定于2.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的频率操作，而“分频宽”超过15%，并具有任何下述特性∶
(1) 在2.7千兆赫以上至2.9千兆赫(包括2.9千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过500瓦(57 dBm)；
(2) 在2.9千兆赫以上至3.2千兆赫(包括3.2千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过270瓦(54.3 dBm)；
(3) 在3.2千兆赫以上至3.7千兆赫(包括3.7千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过200瓦(53 dBm)；
(4) 在3.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过90瓦(49.54 dBm)；
(b) 额定于6.8千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的频率操作，而“分频宽”超过10%，并具有任何下述特性∶
(1) 在6.8千兆赫以上至8.5千兆赫(包括8.5千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过70瓦(48.45 dBm)； (2023年第85号法律公告)
(2) 在8.5千兆赫以上至12千兆赫(包括12千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过50瓦(47 dBm)；
(3) 在12千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过30瓦(44.77 dBm)；
(4) 在16千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过20瓦(43 dBm)；
(c) 额定于31.8千兆赫以上至37千兆赫(包括37千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过0.5瓦(27 dBm)；
(d) 额定于37千兆赫以上至43.5千兆赫(包括43.5千兆赫)的任何频率操作，操作时峰值饱和功率输出超过2瓦(33 dBm)，而“分频宽”超过10%；
(e) 额定于43.5千兆赫以上的频率操作，并具有任何下述特性∶
(1) 在43.5千兆赫以上至75千兆赫(包括75千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过0.2瓦(23 dBm)，而“分频宽”超过10%；
(2) 在75千兆赫以上至90千兆赫(包括90千兆赫)的任何频率，峰值饱和功率输出超过20毫瓦(13 dBm)，而“分频宽”超过5%；
(3) 在90千兆赫以上的任何频率，峰值饱和功率输出超过0.1纳瓦(-70 dBm)；
(f) (由2021年第89号法律公告废除)
注意：
1. 至于“MMIC”放大器，参阅项目3A001(b)(2)。
2. 至于‘传送╱接收模组’及‘传送模组’，参阅项目3A001(b)(12)。
3. 至于为扩增讯号分析器、讯号产生器、网络分析仪或微波测试接收器的操作范围或频率范围而设计的转换器及谐波混音器，参阅项目3A001(b)(7)。 (2021年第89号法律公告)
注释：
1. (由2011年第161号法律公告废除)
2. 如物品的额定操作频率，涵盖列于超过一个频率范围(由项目3A001(b)(4)(a)至3A001(b)(4)(e)所界定)的频率，该物品的管制状况，须按当中最低的峰值饱和功率输出限度断定。 (2015年第27号法律公告)
3. (由2021年第89号法律公告废除)
(5) 具有超过5个可调共振器，能于少于10微秒调谐1.5:1频带(最高频点／最低频点)的电子式或磁式可调带通或带止滤波器，并具有以下任何一项特性：
(a) 超过中心频率0.5%的带通频宽；或
(b) 低于中心频率0.5%的带止频宽；
(6) 已删除； (2004年第65号法律公告)
(7) 符合任何以下描述的转换器及谐波混音器：
(a) 为扩增“讯号分析器”的频率范围至超过90千兆赫而设计；
(b) 为扩增讯号产生器的操作范围至符合以下任何一项而设计：
(1) 超过90千兆赫；
(2) 在超过43.5千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，输出功率均超过100毫瓦(20分贝毫瓦)；
(c) 为扩增网络分析仪的操作范围至符合以下任何一项而设计：
(1) 超过110千兆赫；
(2) 在超过43.5千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，输出功率均超过31.62毫瓦(15分贝毫瓦)；
(3) 在超过90千兆赫但不超过110千兆赫的频率范围内，输出功率均超过1毫瓦(0分贝毫瓦)；
(d) 为扩增微波测试接收器的频率范围至超过110千兆赫而设计； (2017年第42号法律公告)
(8) 包含项目3A001(b)(1)指明的“真空电子装置”的微波功率放大器，并具有下列所有特性者： (2008年第254号法律公告；2021年第89号法律公告)
(a) 操作频率高于3千兆赫；
(b) 平均输出功率质量比超过80瓦／公斤；及 (2009年第226号法律公告；2010年第45号法律公告)
(c) 体积小于400立方厘米；
注释∶
项目3A001(b)(8)不包括经设计或额定于“由国际电信联盟指配”用于无线电通讯服务，而并非指配用于无线电测定的频带内操作的装备。 (2001年第132号法律公告；2008年第254号法律公告)
(9) 具有下述所有特性的、包含至少1个行波“真空电子装置”、1个“单块微波集成电路” (“MMIC”)及1个集成电子电源调节器的微波功率模组∶ (2021年第89号法律公告)
(a) 由关闭状态至全面运作的‘启动时间’少于10秒；
(b) 体积少于最高额定功率(以瓦特计)乘以每瓦特10立方厘米；
(c) 具有以下任何一项特性，超过1个倍频(f max > 2f min)的“瞬间频宽”∶
(1) (如频率等于或小于18千兆赫)射频输出功率大于100瓦；
(2) 频率大于18千兆赫；
技术注释∶
1. 项目3A001(b)(9)(a)所指的‘启动时间’为微波功率模组由完全关闭状态达致全面运作所需的时间，即包括模组预热的时间。
2. 为计算项目3A001(b)(9)(b)的体积，提供以下例子：如最高额定功率为20瓦，则体积为：20瓦×10立方厘米／瓦=200立方厘米。 (2008年第254号法律公告)
(10) 震盪器或震盪器的组件，而该等震盪器或组件是为操作时具有以下单一旁频带(SSB)杂讯而指明的：于F(操作频率的偏离值)不小于10赫但不超过10千赫的范围内，该单一旁频带(SSB)杂讯以载波分贝╱赫为单位计算，小于(优于)-(126+20 log 10F - 20 log10f)； (2017年第42号法律公告)
技术注释：
在项目3A001(b)(10)中，F为操作频率的偏离值(赫)，f则为操作频率兆赫。 (2009年第226号法律公告)
(11) “频率切换时间”为以下任何一项指明者的“频率合成器” “电子组件”∶ (2011年第161号法律公告)
(a) 少于143微微秒； (2013年第89号法律公告)
(b) 于超过4.8千兆赫但不超过31.8千兆赫的合成频率范围内超过2.2千兆赫的任何频率转变，需时少于100微秒； (2013年第89号法律公告)
(c) (由2021年第89号法律公告废除)
(d) 于超过31.8千兆赫但不超过37千兆赫的合成频率范围内超过550兆赫的任何频率转变，需时少于500微秒；
(e) 于超过37千兆赫但不超过75千兆赫的合成频率范围内，超过2.2千兆赫的任何频率转变，需时少于100微秒； (2023年第85号法律公告)
(f) 于超过75千兆赫但不超过90千兆赫的合成频率范围内，超过5.0千兆赫的任何频率转变，需时少于100微秒； (2023年第85号法律公告)
(g) 于超过90千兆赫的合成频率范围内，需时少于1毫秒； (2013年第89号法律公告；2017年第42号法律公告；2021年第89号法律公告)
注意：
就一般用途的“讯号分析器”、讯号产生器、网络分析仪及微波测试接收器而言，分别参阅项目3A002(c)、3A002(d)、3A002(e)及3A002(f)。 (2010年第45号法律公告)
(12) 额定于2.7千兆赫以上的频率操作，并符合以下所有描述的‘传送╱接收模组’、‘传送╱接收MMICs’、‘传送模组’及‘传送MMICs’：
(a) 其峰值饱和功率输出(Psat)(以瓦特计算)大于505.62除以任何频道的最高操作频率(以千兆赫计算)的二次方[Psat> 505.62 W*GHz2/fGHz2]；
(b) 其任何频道的“分频宽”为5%或以上；
(c) 其任何平面的长度d(以厘米计算)等于或少于15除以最低操作频率(以千兆赫计算)[d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz]，而N是传送频道或传送╱接收频道的数目；
(d) 每个频道的电子可变移相器；
技术注释：
1. ‘传送╱接收模组’，指提供双向振幅与相位控制以传送和接收讯号的多功能“电子组件”。
2. ‘传送模组’，指提供振幅与相位控制以传送讯号的“电子组件”。
3. ‘传送╱接收MMIC’，指提供双向振幅与相位控制以传送和接收讯号的多功能“MMIC”。
4. ‘传送MMIC’，指提供振幅与相位控制以传送讯号的“MMIC”。
5. 就具有向下延展至2.7千兆赫或以下的额定操作范围的‘传送╱接收模组’或‘传送模组’而言，在项目3A001(b)(12)(c)的公式中，应使用2.7千兆赫作为最低操作频率(fGHz)[d ≤ 15 cm*GHz*N/2.7 GHz]。
6. 项目3A001(b)(12)适用于‘传送╱接收模组’或‘传送模组’(不论是否具备散热片)。在项目3A001(b)(12)(c)中，长度d的值不包括发挥散热片功能的‘传送╱接收模组’或‘传送模组’的任何部分。
7. ‘传送╱接收模组’、‘传送╱接收MMICs’、‘传送模组’或‘传送MMICs’不一定具备为数等于N的整合辐射天线元件，而N是传送频道或传送╱接收频道的数目。 (2021年第89号法律公告)
(c) 以下的声波装置及为其而特别设计的零件：
(1) 具有下列任何一项特性的表面声波及浅体声波装置： (2009年第226号法律公告)
(a) 载波频率超过6千兆赫；
(b) 载波频率超过1千兆赫但不超过6千兆赫并具有以下任何一项特性： (2008年第254号法律公告)
(1) ‘旁带频率排斥’超过65分贝； (2009年第226号法律公告)
(2) 最大延迟时间与频宽(时间以微秒为单位，频宽以兆赫为单位)的乘积超过100；
(3) 频宽超过250兆赫；或
(4) 扩散延迟时间超过10微秒；或
(c) 载波频率1千兆赫或以下，具有以下任何一项特性：
(1) 最大延迟时间与频宽(时间以微秒为单位，频宽以兆赫为单位)的乘积超过100；
(2) 扩散延迟时间超过10微秒；或
(3) ‘旁带频率排斥’超过65分贝及频宽超过100兆赫； (2009年第226号法律公告)
技术注释：
‘旁带频率排斥’一词指数据表中指明的最大排斥值。 (2009年第226号法律公告)
(2) 可直接处理频率超过6千兆赫讯号的本体声波装置； (2008年第254号法律公告；2009年第226号法律公告)
(3) 利用声波(本体波或表面波)与光波的相互作用直接处理讯号或影像，包括频谱分析，关连或卷旋的声光“讯号处理”装置； (2008年第254号法律公告)
注释：
项目3A001(c)不包括只限于单带通、低通、高通或陷波滤波或共振功能的声波装置。 (2009年第226号法律公告)
(d) 含有“超导体”物料制造的零件的电子装置或线路，而该等物料是特别设计以在至少一种“超导体”组成原料的“临界温度”以下操作的，且该等零件具有下列任何一项特性：
(1) 利用“超导体”闸作数字电路的电流切换，每闸的延迟时间(以秒计算)与消耗功率(以瓦特计算)的乘积小于10-14焦耳；或
(2) 采用Q值超过10 000的共振电路在所有频率上作频率选择； (2001年第132号法律公告)
(e) 以下的高能量装置：
(1) 以下的‘电池’∶
(a) 在摄氏20度时具有以下任何一项特性的‘原电池’：
(1) ‘能量密度’超过550瓦小时╱公斤及‘连续功率密度’超过50瓦╱公斤；
(2) ‘能量密度’超过50瓦小时╱公斤及‘连续功率密度’超过350瓦╱公斤； (2021年第89号法律公告)
(b) 在摄氏20度时，‘能量密度’超过350瓦小时／公斤的‘蓄电池’； (2013年第89号法律公告；2021年第89号法律公告)
技术注释∶
1. 就项目3A001(e)(1)而言，‘能量密度’(瓦小时／公斤)的计算方式是以标称电压乘以额定容量(安培小时)，再除以质量(公斤)。如无列明额定容量，能量密度的计算方式如下∶以标称电压平方乘以放电所需的小时单位，再除以放电量(欧姆)和质量(公斤)。
2. 就项目3A001(e)(1)而言，‘电池’为具有正负电极和电解液，用作供应电能量的电化学装置。电池为电池组的基本组成部分。
3. 就项目3A001(e)(1)(a)而言，‘原电池’为并非经设计以任何其他电源充电的‘电池’。
4. 就项目3A001(e)(1)(b)而言，‘蓄电池’为经设计以外部电源充电的‘电池’。
5. 就项目3A001(e)(1)(a)而言，‘连续功率密度’(瓦╱公斤)的计算方式，是以标称电压乘以指明最大连续放电电流(安培)，再除以质量(公斤)。‘连续功率密度’亦称为比功率。 (2021年第89号法律公告)
注释∶
项目3A001(e)(1)不适用于电池组，包括单颗电池组。 (2023年第85号法律公告)
(2) 以下的高能量贮存电容器：
注意：
并参阅项目3A201(a)及军需物品清单。 (2015年第27号法律公告)
(a) 重复率低于10赫而具有下列所有特性的电容器(单射电容器)：
(1) 额定电压等于5千伏特或以上者；
(2) 能量密度等于250焦耳／公斤或以上者；及
(3) 总能量等于25千焦耳或以上者；
(b) 重复率等于10赫或以上，而具有下列所有特性的电容器(重复额定电容器)：
(1) 额定电压等于5千伏或以上者；
(2) 能量密度等于50焦耳／公斤或以上者；
(3) 总能量等于100焦耳或以上者；及
(4) 充电／放电循环寿命等于10 000或以上者；
(3) 可在少于1秒完全充电或放电而特别设计的并具有下列所有特性的“超导体”电磁铁或螺线管：
注意：
并参阅项目3A201(b)。
(a) 在放电期间的首一秒内所放出的能量超过10千焦耳；
(b) 载流线圈的内直径超过250毫米；及
(c) 额定磁感应超过8泰斯拉，或线圈内的“总电流密度”超过300安培／平方毫米；
注释：
项目3A001(e)(3)不管制为磁共振影像(MRI)医疗设备而特别设计的“超导体”电磁铁或螺线管。
(4) 属“太空级”、在模拟‘空气质量零’照度下，辐照量为1 367瓦／平方米，而环境温度为开氏301度(摄氏28度)时，具有最低平均效率超过20%的太阳能电池、相连电池盖玻片组件、太阳能光伏板和光伏方阵；
技术注释∶
‘空气质量零’指地球和太阳之间的距离为一天文单位时，地球外大气层在阳光照射下所接受的光谱辐照度。 (2008年第254号法律公告)
(f) “精度”相等于或小于(优于)1.0秒弧度的旋转输入型绝对位置编码器，以及为其特别设计的编码环、盘或标尺； (2009年第226号法律公告；2021年第89号法律公告；2023年第85号法律公告)
(g) 以电力、光学或电子辐射控制开关，并具有以下任何一项特性的固体脉冲半导体开关元件和‘半导体开关组件’：
(1) 最高启动电流提升率(di/dt)超过30 000安培／微秒，而关闭状态的电压超过1 100伏特；
(2) 最高启动电流提升率(di/dt)超过2 000安培／微秒，并具有下述所有特性：
(a) 关闭状态的峰值电压等于或超过3 000伏特；
(b) 峰值(浪涌)电流等于或超过3 000安培；
注释：
1. 项目3A001(g)包括：
——可控矽整流器
——电子触发半导体开关元件
——光源触发半导体开关元件
——集成闸整流半导体开关元件
——闸关断半导体开关元件
——金氧半导体控制开关元件
——Solidtrons
2. 项目3A001(g)不包括装置在为供民用铁路或“民用飞机”使用而设计的装备的半导体开关元件和‘半导体开关组件’。
技术注释：
就项目3A001(g)而言，‘半导体开关组件’含一个或多于一个半导体开关元件。 (2008年第254号法律公告)
(h) 具有下列所有特性的固体动力半导体开关、二极管或‘开关组件’：
(1) 最高操作面结温度评定为高于开氏488度(摄氏215度)；
(2) 关闭状态重复峰值电压(阻塞电压)超过300伏特；
(3) 持续电流超过1安倍；
注释：
1. 项目3A001(h)的关闭状态重复峰值电压包括漏极到源极间的电压、集电极到发射极间的电压、反向重复峰值电压及关闭状态重复峰值阻塞电压。
2. 项目3A001(h)包括：
—接合场效应晶体管(JFETs)
—垂向结型场效应晶体管(VJFETs)
—金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
—双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DMOSFET) (2023年第85号法律公告)
—绝缘闸双极晶体管(IGBT)
—高电子迁移率晶体管(HEMTs)
—双极面结型晶体管(BJTs)
—半导体开关元件和可控矽整流器(SCRs)
—闸关断半导体开关元件(GTOs)
—发射极关断半导体开关元件(ETOs)
— PiN二极管
—肖特基二极管
3. 项目3A001(h)不包括装嵌于为民用汽车、民用铁路或“民用飞机”的应用而设计的装备的开关、二极管或‘开关组件’。
技术注释：
就项目3A001(h)而言，‘开关组件’含有一个或多于一个的固体动力半导体开关或二极管。 (2009年第226号法律公告)
(i) 为模拟讯号而设计，并符合以下任何描述的亮度、幅度或相位电光调制器：
(1) 最高操作频率为10千兆赫以上但低于20千兆赫，而光介入损耗等于或少于3分贝，并符合以下任何描述：
(a) 在1千兆赫或以下的频率下测量时，‘半波电压’ (‘Vπ’)低于2.7伏特；
(b) 在1千兆赫以上的频率下测量时，‘Vπ’低于4伏特；
(2) 最高操作频率等于或大于20千兆赫，而光介入损耗等于或少于3分贝，并符合以下任何描述：
(a) 在1千兆赫或以下的频率下测量时，‘Vπ’低于3.3伏特；
(b) 在1千兆赫以上的频率下测量时，‘Vπ’低于5伏特；
注释：
项目3A001(i)包括具备光学输入输出连接器的电光调制器(例如锥形光纤耦合器)。
技术注释：
就项目3A001(i)而言，‘半波电压’ (‘Vπ’)是光学调制器所传递的光波长作出180度相位变化时所需的外加电压。 (2021年第89号法律公告)
3A002 以下的一般用途“电子组件”、模组及装备： (2021年第89号法律公告)
(a) 以下的记录装备及示波器∶ (2015年第27号法律公告)
(1)-(4) (由2015年第27号法律公告废除)
(5) 已删除；
注意：
至于波型数字化机及瞬态记录器，参阅项目3A002(h)。 (2021年第89号法律公告)
(6) 符合以下所有描述的数码资料记录器：
(a) 向磁碟或固态驱动记忆体持续输出6.4千兆位元╱秒以上的‘连续输出流通率’；
(b) 于记录射频讯号数据时作“讯号处理”；
技术注释：
1. 就具有平行汇流排结构的记录器而言，‘连续输出流通率’为最高字元率乘以一个字元内的位元数。
2. ‘连续输出流通率’是仪器在维持数码资料输入率或数字化机转换率时，在不会损失任何资讯下，能记录至磁碟或固态驱动记忆体的最快数据率。 (2021年第89号法律公告)
(7) 在符合下述说明的垂直量程设定的情况下，具有全标度少于2%垂直均方根值(rms)杂讯电压的实时示波器：在3分贝频宽为60千兆赫或以上的每个频道输入，能得出最低杂讯值；
注释∶
项目3A002(a)(7)不适用于相等时间采样的示波器。 (2015年第27号法律公告)
(b) (由2010年第45号法律公告废除)
(c) 以下的“讯号分析器”∶ (2017年第42号法律公告)
(1) 在任何超过31.8千兆赫但不超过37千兆赫频率的范围内，“讯号分析器”具有超过40兆赫3分贝解析度频宽(RBW)； (2021年第89号法律公告)
(2) 在任何超过43.5千兆赫但不超过90千兆赫频率的范围内，“讯号分析器”的显示平均杂讯位准(DANL)小于(优于)–150分贝毫瓦╱赫； (2013年第89号法律公告)
(3) 具有超过90千兆赫频率的“讯号分析器”； (2013年第89号法律公告)
(4) 具有下列所有特性的“讯号分析器”：
(a) ‘实时频宽’超过170兆赫；
(b) 符合以下任何描述：
(1) 100%的发现概率，由于间隙或讯号的开窗效应持续时间为15微秒或以下，全幅减低少于3分贝；
(2) 就持续时间为15微秒或以下的讯号而言，‘频率罩触发’以100%的触发(捕获)讯号概率运作； (2023年第85号法律公告)
技术注释：
(由2023年第85号法律公告废除)
技术注释：
1. 就项目3A002(c)(4)(a)而言，‘实时频宽’指分析器能够持续将时间领域资料完全转换成频率领域结果的最宽频段，利用傅里叶或其他离散时间转换来处理每一输入时间点，而且在输出或显示该等已转换的资料时，没有因间隙或开窗效应而引致测量波幅低于实际讯号波幅超过3分贝。
2. 就项目3A002(c)(4)(b)(1)而言，发现概率亦称为截取概率或捕获概率。
3. 就项目3A002(c)(4)(b)(1)而言，100%的发现概率的持续时间，相等于指明程度的测量精度误差所需的最低讯号持续时间。
4. 就项目3A002(c)(4)(b)(2)而言，‘频率罩触发’指以下机制：触发功能能够选择触发频段作为撷取频宽的一个子集，而无须理会其他可能在同一撷取频宽内的讯号。‘频率罩触发’可含有多于一个独立的极限子集。 (2023年第85号法律公告)
注释∶
项目3A002(c)(4)不适用于只使用定比率频滤波器(亦称为倍频程或部分倍频程滤波器)的“讯号分析器”。 (2013年第89号法律公告)
(5) (由2021年第89号法律公告废除)
(d) 具有任何以下特性的讯号产生器： (2017年第42号法律公告)
(1) 指明可在任何超过31.8千兆赫但不超过37千兆赫的频率范围内，产生具有下列所有特性的脉冲调制的讯号∶ (2015年第27号法律公告；2017年第42号法律公告)
(a) 少于25毫微秒的‘脉冲持续时间’；
(b) 开╱关比率相等于或超过65分贝； (2013年第89号法律公告)
(2) 在任何超过43.5千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，输出功率超过100毫瓦(20分贝毫瓦)； (2011年第161号法律公告；2013年第89号法律公告)
(3) “频率切换时间”为以下指明的时间∶ (2011年第161号法律公告)
(a) (由2013年第89号法律公告废除)
(b) 于超过4.8千兆赫但不超过31.8千兆赫的频率范围内超过2.2千兆赫的任何频率转变，需时少于100微秒； (2013年第89号法律公告)
(c) (由2017年第42号法律公告废除)
(d) 于超过31.8千兆赫但不超过37千兆赫的频率范围内超过550兆赫的任何频率转变，需时少于500微秒；或 (2011年第161号法律公告)
(e) 于超过37千兆赫但不超过75千兆赫的频率范围内超过2.2千兆赫的任何频率转变，需时少于100微秒； (2011年第161号法律公告；2023年第85号法律公告)
(f) (由2017年第42号法律公告废除)
(g) 于超过75千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，超过5.0千兆赫的任何频率转变，需时少于100微秒； (2023年第85号法律公告)
(4) 指明具有下列任何特性的单一旁频带(SSB)杂讯(单位为载波分贝╱赫)： (2017年第42号法律公告)
(a) 于超过3.2千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，就在任何F(操作频率的偏离值)不小于10赫但不超过10千赫的范围而言，小于(优于)-(126+20 log10F - 20 log10f)；
(b) 于超过3.2千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，就在任何F(操作频率的偏离值)超过10千赫但不超过100千赫的范围而言，小于(优于)-(206 - 20 log10f)； (2013年第89号法律公告)
技术注释：
在项目3A002(d)(4)中，F为操作频率的偏离值(赫)，f则为操作频率兆赫。 (2009年第226号法律公告)
(5) 指明符合以下任何描述的数字基带讯号的‘射频调制频宽’：
(a) 在超过4.8千兆赫但不超过31.8千兆赫的频率范围内，超过2.2千兆赫；
(b) 在超过31.8千兆赫但不超过37千兆赫的频率范围内，超过550兆赫；
(c) 在超过37千兆赫但不超过75千兆赫的频率范围内，超过2.2千兆赫； (2023年第85号法律公告)
(d) 在超过75千兆赫但不超过90千兆赫的频率范围内，超过5.0千兆赫； (2023年第85号法律公告)
技术注释：
‘射频调制频宽’是调制成射频讯号的数字编码基带讯号所占用的射频频宽。‘射频调制频宽’亦称为资讯频宽或向量调制频宽。I/Q数字调制是产生向量调制射频输出讯号的技术方法，而该输出讯号一般指明为具有‘射频调制频宽’。 (2021年第89号法律公告)
(6) 最大频率超过90千兆赫； (2021年第89号法律公告)
注释∶
1. 就项目3A002(d)而言，讯号产生器包括任意波形和函数产生器。
2. 项目3A002(d)不适用于其输出频率是藉以下算式产生的装备∶两个或以上石英振盪频率的相加或相减，或相加或相减后再乘以有关结果。 (2008年第254号法律公告)
技术注释∶
1. 任意波形或函数产生器的最大频率，是以每秒计的采样速率除以2.5来计算。 (2013年第89号法律公告)
2. 就项目3A002(d)(1)(a)而言，‘脉冲持续时间’须界定为由达到50%脉冲振幅的前缘至达到50%脉冲振幅的后缘所需的时间。 (2015年第27号法律公告)
(e) 具有以下任何一项特性的网络分析仪∶
(1) 在任何超过43.5千兆赫但不超过90千兆赫的操作频率范围内，输出功率超过31.62毫瓦(15分贝毫瓦)； (2013年第89号法律公告)
(2) 在任何超过90千兆赫但不超过110千兆赫的操作频率范围内，输出功率超过1毫瓦(0分贝毫瓦)； (2013年第89号法律公告)
(3) 频率超过50千兆赫但不超过110千兆赫的‘非线性向量测量功能’；
技术注释∶
‘非线性向量测量功能’，是仪器对装置进入大信号领域或非线性失真度范围的测试结果，进行分析的能力。 (2013年第89号法律公告)
(4) 最大操作频率超过110千兆赫； (2013年第89号法律公告)
(f) 具有下列所有特性的微波测试接收器：
(1) 最大操作频率超过110千兆赫；及 (2004年第65号法律公告；2013年第89号法律公告)
(2) 具有同时测量振幅及相位的能力；
(g) 以下任何一项原子式频率基准器∶
(1) 属“太空级”；
(2) 属非铷类及具长期稳定度小于(优于)每月1×10-11；
(3) 非属“太空级”并具有下述所有特性∶
(a) 属铷标准；
(b) 长期稳定度小于(优于)每月1×10-11；
(c) 整体耗电量少于1瓦特； (2008年第254号法律公告)
(h) 指明执行以下所有功能的“电子组件”、模组或装备：
(1) 符合以下任何描述的模拟-数字转换功能：
(a) 解析度为8位元或以上，但少于10位元，而“样本率”大于1.3每秒千兆样本数目；
(b) 解析度为10位元或以上，但少于12位元，而“样本率”大于1.0每秒千兆样本数目；
(c) 解析度为12位元或以上，但少于14位元，而“样本率”大于1.0每秒千兆样本数目；
(d) 解析度为14位元或以上，但少于16位元，而“样本率”大于400每秒兆样本数目；
(e) 解析度为16位元或以上，而“样本率”大于180每秒兆样本数目；
(2) 以下任何功能：
(a) 输出数码化数据；
(b) 储存数码化数据；
(c) 处理数码化数据；
注意：
数码资料记录器、示波器、“讯号分析器”、讯号产生器、网络分析仪及微波测试接收器分别在项目3A002(a)(6)、3A002(a)(7)、3A002(c)、3A002(d)、3A002(e)及3A002(f)中指明。
技术注释：
1. n位元解析度相当于2n级的量化。
2. 模拟-数字转换器的解析度，是该转换器的数字输出位元数目，而该数字输出代表测得的模拟输入。有效位元数目(ENOB)不会用以釐定模拟-数字转换器的解析度。
3. 就非交叉多频道“电子组件”、模组或装备而言，“样本率”不会被聚集，而“样本率”为任何一条单一频道的最高率。
4. 就多频道“电子组件”、模组或装备的交叉频道而言，“样本率”会被聚集，而“样本率”是所有交叉频道合计的总最高率。
注释：
项目3A002(h)包括模拟-数字转换器卡、波型数字化机、资料撷取卡、讯号撷取板及瞬态记录器。 (2021年第89号法律公告)
(2017年第42号法律公告)
3A003 使用在密封容器内的闭合环路液体处理及检修装备的喷雾冷却热能管理系统(在该容器内，有使用经特别设计的喷雾嘴(该喷嘴是为保持电子零件在其操作温度范围内而设计的)将介电质液体喷在电子零件上)，及为其特别设计的零件；
(2004年第65号法律公告)
3A101 以下的电子装备、装置及零件，但项目3A001所管制者除外：
(a) 经设计为符合军用规格的抗震装备，而配合“导弹”使用的模拟－数字转换器；
(b) 能传送由利用韧2兆电子伏或以上的加速电子所产生的电磁辐射的加速器，及具有该等加速器的系统； (2008年第254号法律公告；2013年第89号法律公告；2021年第89号法律公告)
注释：
项目3A101(b)不管制为医学用途而特别设计的装备。
技术注释∶
(由2021年第89号法律公告废除)
技术注释∶
1. 在项目3A102中，‘热电池’为单次使用的电池，含有固体非导电无机盐作为电解液。该等电池含有热力物质，而该物质在燃点后会溶解电解液，激活电池。
2. 在项目3A102中，‘导弹’指射程或航程超过300公里的完整火箭系统及无人驾驶飞行载具系统。
(2008年第254号法律公告；2009年第226号法律公告)
3A201 以下的电子零件，但受项目3A001管制的除外： (2006年第95号法律公告)
(a) 具有下列任何一组的特性的电容器：
(1) (a) 额定电压超过1.4千伏；
(b) 能量贮存超过10焦耳；
(c) 电容量超过0.5微法拉；及
(d) 串联电感低于50毫微亨；或
(2) (a) 额定电压超过750伏；
(b) 电容量超过0.25微法拉；及
(c) 串联电感低于10毫微亨；
(b) 具有下列所有特性的超导体螺线管电磁铁：
(1) 能制造超过2泰斯拉的磁力场；
(2) 长度与内直径比例超过2；
(3) 内直径超过300毫米；及
(4) 内容积50%均获偏差小于1%的一致磁力场； (2004年第65号法律公告)
注释：
项目3A201(b)不管制特别设计或出口为‘部分’医学核子磁力共振(NMR)影像系统而特别设计的磁铁。‘部分’一词不一定指其真正部分在同一次付运内。由不同来源的分开付运均获许可，但须在有关的出口文件上清楚指明该等付运是作为该等影像系统的‘部分’而发送的。 (2004年第65号法律公告)
(c) 具有下列任何一组的特性的闪动X-光产生器或电子脉冲加速器：
(1) (a) 加速器峰值电子能量为500千电子伏或以上但低于25兆电子伏；及
(b) 0.25或以上的‘优良指数’(K)；或
(2) (a) 加速器峰值电子能量为25兆电子伏或以上；及
(b) ‘峰值功率’超过50兆瓦；
注释：
如加速器属为电子束或X-光辐射线以外的目的(例如电子显微术)而设计的装置的组成部分，项目3A201(c)不管制该等加速器，该项目亦不管制为医学用途而设计的加速器。
技术注释：
1. ‘优良指数’(K)的定义为：
K = 1.7×103V2.65Q
V 为峰值电子能量(兆电子伏)。
如加速器光束脉冲持续时间少于或相等于1微秒，则Q为总加速电荷(库仑)。
如加速器光束脉冲持续时间超过1微秒，则Q为1微秒内的最大加速电荷。
Q等如i与t的微积分(在1微秒或光束脉冲持续时间(两者以较短者为准))(Q =∫idt)，其中i为光束电流(安培)而t为时间(秒)。
2. ‘峰值功率’= (峰值电压(伏特))×(峰值光束流(安培))。
3. 使用微波加速空腔的机器，光束脉冲持续时间是指1微秒或从单一微波调制器脉冲得出的多源光束组脉冲持续时间，两者以较短者为准。
4. 使用微波加速空腔的机器，峰值光束电流是指在多源光束组的持续时间内的平均电流。 (2004年第65号法律公告)
3A225 具有下列所有特性，并可用作变频或定频电动机的频率转变器或频率产生器，但项目0B001(b)(13)指明者除外： (2006年第95号法律公告；2017年第42号法律公告)
注意∶
1. 为提升或释放频率转变器或频率产生器的性能以符合项目3A225的特性而特别设计的“软件”，于项目3D225指明。
2. 为提升或释放频率转变器或频率产生器的性能以符合项目3A225的特性的“技术” (属密钥或编码型态者)，于项目3E225指明。
(a) 提供40伏安或以上的功率的多相输出；
(b) 于600赫或以上的频率操作；
(c) 频率控制优于(低于)0.2%；
注释∶
如频率转变器或频率产生器有硬件、“软件”或“技术”的局限，以限制其性能至低于上述指明者，则项目3A225不管制该等转变器或产生器，但前提是该等转变器或产生器符合任何以下描述：
1. 它们需要交回原有制造商，才可作升级或解除该限制；
2. 它们需有项目3D225指明的“软件”才可提升或释放性能，以符合项目3A225所指的特性；
3. 它们需有项目3E225指明而属密钥或编码型态的“技术”才可提升或释放性能，以符合项目3A225所指的特性。
技术注释∶
1. 项目3A225中的频率转变器，亦称转换器或逆变器。
2. 项目3A225中的频率转变器，可用下列名目销售：发电机、电子测试装备、交流电源、变速电动机、变速驱动器(VSDs)、变频驱动器(VFDs)、可调式频率驱动器(AFDs)，或可调式速度驱动器(ASDs)。
(2004年第65号法律公告；2017年第42号法律公告)
3A226 具有下列两项特性的高功率电源供电器，但受项目0B001(j)(6)管制的除外： (2006年第95号法律公告)
(a) 能连续在一段8小时的时间内产生电压达100伏或以上的而电流输出达500安或以上的电流；及
(b) 在一段8小时的时间内具有优于(低于) 0.1%的电流或电压稳定度；
(2004年第65号法律公告)
3A227 具有下列两项特性的高压电源供电器，但受项目0B001(j)(5)管制的除外： (2006年第95号法律公告)
(a) 能连续在一段8小时的时间内产生电压达20千伏或以上的而电流输出达1安或以上的电流；及
(b) 在一段8小时的时间内具有优于(低于) 0.1%的电流或电压稳定度；
(2004年第65号法律公告)
(a) 已充气或未充气而操作与火花放电器相似，并具有下列所有特性的冷阴极管：
(1) 含有三个或多于三个电极；
(2) 阳极峰值电压额为2.5千伏或以上；
(3) 阳极峰值电流额为100安或以上；及
(4) 阳极滞延时间为10微秒或以下；
注释：
项目3A228(a)包括弧光放电充气管及真空充气管。 (2023年第85号法律公告)
(b) 具有下列两项特性的触发火花放电器：
(1) 阳极滞延时间为15微秒或以下；及
(2) 额定峰值电流为500安或以上；
(c) 具有高速开关功能并具有下列所有特性的组模或组件，但项目3A001(g)或3A001(h)指明的组模或组件除外： (2008年第254号法律公告；2011年第161号法律公告)
(1) 阳极峰值电压额大于2千伏；
(2) 阳极峰值电流额为500安或以上；及
(3) 接通时间为1微秒或以下；
(2004年第65号法律公告)
3A229 以下的高电流脉冲产生器： (2009年第226号法律公告)
注意：
亦须参阅军需物品清单。(2009年第226号法律公告；2017年第42号法律公告)
(a) 为驱动多个项目1A007(b)指明的受管制引爆器而设计的引爆触发器(启动系统、触发器)，包括电子充电、爆炸驱动及光学驱动触发器，但项目1A007(a)指明者除外；
(b) 具有所有以下特性的组模电力脉冲产生器(脉冲器)：
(1) 在设计上可手提、移动或在受震盪情况下使用；
(2) 在负载少于40欧姆下，能在少于15微秒内传送其能量；
(3) 具有超过100安的电流输出；
(4) 没有一维的长度超过30厘米；
(5) 重量少于30公斤；
(6) 指明在开氏223度(摄氏-50度)至开氏373度(摄氏100度)的扩展温度范围下使用，或指明适合航天使用；
注释：
项目3A229(b)包括氙闪灯驱动器。
(c) 具有所有以下特性的微型触发器：
(1) 没有一维的长度超过35毫米；
(2) 额定电压不小于1千伏；
(3) 电容量不小于100毫微法拉； (2017年第42号法律公告)
(2004年第65号法律公告)
3A230 具有下列两项特性的高速脉冲产生器及其‘脉冲头’： (2017年第42号法律公告)
(a) 在电阻负载少于55欧姆下具有超过6伏特的输出电压；及
(b) ‘脉冲过渡时间’少于500微微秒； (2004年第65号法律公告)
技术注释：
1. 在项目3A230中，‘脉冲过渡时间’界定为电压幅度在10%至90%之间的时间间距。
2. ‘脉冲头’为脉冲成型网路，设计用于接受电压阶跃功能，并将其塑造为多种脉冲形式(可包括长方形、三角形、阶跃、冲击、指数级或单周期类型)。‘脉冲头’可以是脉冲产生器的一个组成部分，它们可以是装置的插入式模组，也可以是外置连接装置。 (2017年第42号法律公告)
3A231 具有下列两项特性的中子产生系统(包括中子产生管)：
(a) 其设计是供在无外真空系统下操作；及
(b) 运用：
(1) 静电加速诱发氚-氘核子反应；或
(2) 静电加速诱发氘-氘核子反应，并能输出3×109中子╱秒或以上；(2017年第42号法律公告)
(2004年第65号法律公告)
3A232 以下的多信道起爆系统(项目1A007指明者除外)：
注意：
并参阅军需物品清单。至于引爆器，参阅项目1A007(b)。
(a) (由2009年第226号法律公告废除)
(b) 为由单一起爆讯号(平面分布起爆时间少于2.5微秒)提升近似瞬时引发爆炸面(超过5 000平方毫米)，而设计的单一或多点引爆器的装置；
注释：
项目3A232不管制只使用初级炸药(如氮化铅)的引爆器。
(2009年第226号法律公告)
3A233 以下能量度达230或以上原子重量单位的离子及具有解像度高于二百三十分之二的质谱仪(项目0B002(g)所管制者除外)；以及其离子源：
(a) 电感耦合等离子质谱仪(ICP/MS)；
(b) 辉光放电质谱仪(GDMS)；
(c) 热电离子化质谱仪(TIMS)；
(d) 具有所有以下特点的电子轰击质谱仪：
(1) 具有将分析物分子的准直光束注入离子源区域的分子束入口系统，而该等分子在该区域被电子束离子化；
(2) 具有可将温度冷却至开氏193度(摄氏-80度)的一个或多于一个的‘冷却器’；
技术注释：
1. 项目3A233(d)中的电子轰击质谱仪，亦称电子撞击质谱仪或电子电离质谱仪。
2. 在项目3A233(d)(2)中，‘冷却器’是藉冷凝或冷冻，把气体分子锁定在冷却表面的装置。就项目3A233(d)(2)而言，闭合环路氦气低温真空泵并非‘冷却器’。 (2017年第42号法律公告)
(e) (由2017年第42号法律公告废除)
(f) 装备有微氟化离子源的质谱仪，设计作为应用于锕系元素或锕系元素聚氟乙烯；
3A234 为引爆器提供低电感路径的、具有以下特性的带状传输线：
(a) 额定电压超过2千伏；及
(b) 电感低于20毫微亨；
(2017年第42号法律公告)
3B 测试、检验及生产装备
3B001 以下的半导体装置或物料的制造装备，以及为其而特别设计的零件及配件：
注意：
亦须参阅项目2B226。 (2021年第89号法律公告)
(a) 以下的磊晶生长装备： (2004年第65号法律公告)
(1) 能生产任何物料(矽除外)的膜层的装备，而该膜层在跨距等于或超过75毫米的条件下，膜厚均匀度须属低于+ 2.5%者； (2006年第95号法律公告)
注释：
项目3B001(a)(1)包括原子层磊晶(ALE)装备。 (2009年第226号法律公告)
(2) 为物料的化合物半导体磊晶生长而设计的有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器，该物料含有最少2种下列原素：
(a) 铝；
(b) 镓；
(c) 铟；
(d) 砷；
(e) 磷；
(f) 锑；
(g) 氮； (2013年第89号法律公告)
(3) 使用气态或固态源的分子束磊晶生长装备； (2001年第132号法律公告)
(b) 具有下列任何一项特性，为离子植入而设计的装备： (2004年第65号法律公告)
(1) (由2013年第89号法律公告废除)
(2) 经设计使电子束能量于20千电子伏特或高于20千电子伏特下作最佳操作，以及使电子束电流于10毫安培或高于10毫安培下作最佳操作，以植入氢、氘或氦； (2013年第89号法律公告；2023年第85号法律公告)
(3) 具直接写入功能； (2013年第89号法律公告)
(4) 具有65千电子伏特或以上的电子束能量及45毫安培或以上的电子束电流以对加热的半导体物料“基片”作高能氧植入； (2004年第65号法律公告)
(5) 经设计使电子束能量于20千电子伏特或高于20千电子伏特下作最佳操作，以及使电子束电流于10毫安培或高于10毫安培下作最佳操作，以对加热至摄氏600度或高于摄氏600度的半导体物料“基片”作矽植入； (2013年第89号法律公告)
(c) (由2021年第89号法律公告废除)
(d) (由2013年第89号法律公告废除)
(e) 具有下列所有项目的自动装载多道制程中央晶片处理系统∶
(1) 晶片输入及输出界面，其设计是连接超过两组由项目3B001(a)或3B001(b)指明的不同功能的‘半导体加工工具’的； (2013年第89号法律公告；2021年第89号法律公告)
(2) 设计以形成能在真空环境中‘顺序多晶片加工’的整合系统；
注释∶
项目3B001(e)不适用于为并联晶片加工而特别设计的自动机械人晶片处理系统。
技术注释∶
1. 就项目3B001(e)而言，‘半导体加工工具’指提供生产不同功能的半导体的物理程序(例如沉积、植入或热处理)的组模工具。 (2021年第89号法律公告)
2. 就项目3B001(e)而言，‘顺序多晶片加工’指在不同的‘半导体加工工具’中处理每一块晶片的能力，例如利用自动装载多道制程中央晶片处理系统将一块晶片由一种工具转移到第二种工具再到第三种工具。 (2010年第45号法律公告)
(f) 以下的微影装备： (2004年第65号法律公告)
(1) 具有下列任何特性，并利用光学或X-光方法进行晶片加工的对准、步进曝光及重复(在晶片上直接步进)的装备，或步进及扫描(扫描器)装备：
(a) 光源波长小于193毫微米； (2006年第95号法律公告)
(b) 能产生‘最低可分辨特征尺寸’(MRF)等于或小于45毫微米的图形； (2001年第132号法律公告；2004年第65号法律公告；2006年第95号法律公告；2009年第226号法律公告；2011年第161号法律公告)
技术注释： (2001年第132号法律公告)
‘最低可分辨特征尺寸’(MRF)以下列公式计算： (2008年第254号法律公告)
|
MRF= |
(以毫微米为单位的曝光光源波长)×(K因子) |
|
|
数值孔径 |
|
K因子=0.35。 (2006年第95号法律公告；2008年第254号法律公告；2011年第161号法律公告)
(2) 能产生尺寸等于或小于45毫微米的特征的压印微影装备；
注释：
项目3B001(f)(2)包括：
(a) 微接触印刷工具；
(b) 热压成型工具；
(c) 纳米压印微影工具；及
(d) 步进闪光式压印微影工具。 (2008年第254号法律公告)
(3) 为光罩制造而特别设计、并具有下述所有特性的装备∶ (2021年第89号法律公告)
(a) 利用偏折聚焦电子束、离子束或“雷射器”光束；
(b) 具有以下任何一项特性∶
(1) 半峰全幅值(FWHM)落点尺寸小于65毫微米，而影像位置小于17毫微米(平均值 + 3σ)； (2021年第89号法律公告)
(2) (由2021年第89号法律公告废除)
(3) 光罩上第二层复膜误差小于23毫微米(平均值 + 3σ)； (2021年第89号法律公告)
(4) (由2023年第85号法律公告废除)
(4) 为利用直写方法来进行装置加工而设计，并符合以下所有描述的装备：
(a) 具备偏折聚焦电子束；
(b) 符合以下任何描述：
(1) 最小束点尺寸等于或小于15毫微米；
(2) 复膜误差小于27毫微米(平均值 + 3σ)； (2023年第85号法律公告)
(g) 为项目3A001所管制的集成电路而设计的光罩及钢线；
(h) 具有相位移层，及设计供具有光源波长小于245毫微米的微影装备使用的多层光罩(并非项目3B001(g)指明者)； (2021年第89号法律公告)
(1)-(2) (由2021年第89号法律公告废除)
注释∶
如具有相位移层的多层光罩是为制造项目3A001没有指明的记忆体装置而设计的，则项目3B001(h)不适用于该多层光罩。 (2013年第89号法律公告)
注意：
至于为光感测器而特别设计的光罩及钢线，参阅项目6B002。 (2023年第85号法律公告)
(i) 为项目3A001指明的集成电路而设计的压印微影模具； (2008年第254号法律公告)
(j) 具有包含钼及矽的多层膜反射器结构，并符合以下所有描述的光罩“基板”：
(1) 特别设计供‘极紫外线’ (‘EUV’)微影之用；
(2) 符合SEMI标准P37；
技术注释：
‘极紫外线’ (‘EUV’)指大于5毫微米但小于124毫微米的电磁频谱波长。 (2021年第89号法律公告)
3B002 以下的特别为测试成品或半成品半导体装置而特别设计的测试装备以及为其特别设计的零件及配件： (2006年第95号法律公告)
(a) 可测试项目3A001(b)(3)所管制的物品的S-参数者； (2004年第65号法律公告；2009年第226号法律公告)
(b) (由2006年第95号法律公告废除)
(c) 用作测试项目3A001(b)(2)所管制的物品； (2001年第132号法律公告)
(d) (由2001年第132号法律公告废除)
(2021年第89号法律公告)
3C 物料
3C001 含下列任何一种堆叠磊晶生长复层膜的“基片”所构成的异质磊晶物料：
(a) 矽；
(b) 锗； (2001年第132号法律公告)
(c) 碳化矽；或 (2001年第132号法律公告)
(d) 镓或铟的“III/V(3-5族)化合物”； (2001年第132号法律公告；2023年第85号法律公告)
注释：
如“基片”具有一层或多于一层独立于各元素排序的氮化镓、铟镓氮化物、氮化铝镓、铟氮化铝、铟氮化铝镓、磷化镓、砷化镓、砷化铝镓、磷化铟、铟磷化镓、磷化铝铟或铟磷化镓铝的P型磊晶层，则项目3C001(d)不适用该“基片”，但如该P型磊晶层介乎N型层之间则除外。 (2013年第89号法律公告；2021年第89号法律公告)
(e) 氧化镓(Ga2O3)； (2023年第85号法律公告)
(f) 钻石； (2023年第85号法律公告)
3C002 以下的光阻物料及镀有以下的“基片”： (2008年第254号法律公告)
(a) 为半导体微影术而设计的以下光阻：
(1) 为相等于或大于15毫微米但小于193毫微米波长的最佳应用而调整的正光阻； (2021年第89号法律公告)
(2) 为大于1毫微米但小于15毫微米波长的最佳应用而调整的光阻； (2013年第89号法律公告)
(b) 对电子束或离子束的灵敏度为0.01微库仑／平方毫米或更佳的所有光阻；
(c) (由2013年第89号法律公告废除)
(d) 为表面影像技术最佳化的所有光阻； (2013年第89号法律公告)
技术注释：
(由2021年第89号法律公告废除)
(e) 为使用于项目3B001(f)(2)指明的、使用热工序或光固化工序的压印微影装备而设计或最佳化的所有光阻； (2008年第254号法律公告；2010年第45号法律公告)
(a) 金属纯度高于99.999%的铝、镓或铟的金属有机化合物；
(b) 纯度(无机的素基)优于99.999%的有机砷、有机锑及有机磷化合物；
注释：
项目3C003只管制分子的有机部分中，金属、部分金属或非金属元素直接与碳键结的化合物。
3C004 纯度优于99.999%的磷、砷、或锑的氢化物，包含以惰性气或氢稀释者；
注释：
项目3C004不管制惰性气或氢的莫耳比率为20%或以上的氢化物。
3C005 以下的高电阻率物料：
(a) 在摄氏20度，电阻率为10 000欧姆-厘米以上的碳化矽、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氧化镓或钻石的半导体“基片”或该等物料的锭块、总集物或其他预制成形品；
(b) 在摄氏20度，电阻率为10 000欧姆-厘米以上的多晶“基片”或多晶陶瓷“基片”，而“基片”表面至少有一层含有矽、碳化矽、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氧化镓或钻石的非磊晶单晶层；
(2021年第89号法律公告；2023年第85号法律公告)
3C006 符合以下说明的物料：含有项目3C005指明的“基片”、具有至少一层碳化矽、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氧化镓或钻石的磊晶层及并非项目3C001指明者；
(2023年第85号法律公告)
3D 软件
3D001 为“发展”或“生产”项目3A001(b)至3A002(h)或3B所管制的装备而特别设计的“软件”；
(2021年第89号法律公告)
3D002 为“使用”项目3B001(a)、3B001(b)、3B001(e)、3B001(f)或3B002指明的装备而特别设计的“软件”；
(2004年第65号法律公告；2017年第42号法律公告；2021年第89号法律公告)
3D003 为在极紫外线(EUV)微影光罩或钢线上“发展”图形而特别设计的‘计算微影’ “软件”；
技术注释：
‘计算微影’指使用电脑模型以就一系列图形、程序及系统状况，预测、校正、优化和验证微影程序的影像性能。
(2023年第85号法律公告)
3D004 为“发展”受项目3A003管制的装备而特别设计的“软件”；
(2004年第65号法律公告)
3D005 为以下目的而特别设计的“软件”：使微电脑、“微处理器微电路”或“微电脑微电路”在受到电磁性脉冲(EMP)或静电放电(ESD)干扰后1毫秒内，于不中断操作的情况下恢复正常操作；
(2021年第89号法律公告)
3D006 为“发展”具有任何“全环栅晶体管” (“GAAFET”)结构的集成电路而特别设计的‘电子电脑辅助设计’ (‘ECAD’) “软件”，而该软件具有下列任何特性：
(a) 经特别设计，使‘寄存器传输级’ (‘RTL’)的实施达至‘几何资料库标准II’ (‘GDSII’)或同等标准；
(b) 经特别设计，使功率或时间规则最佳化；
技术注释：
1. ‘电子电脑辅助设计’ (‘ECAD’)是一类“软件”工具，用作设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板的性能。
2. ‘寄存器传输级’ (‘RTL’)是一种抽象化设计，按照硬件寄存器之间的数字讯号流量及对该等讯号所执行的逻辑操作，建立同步数字电路模型。
3. ‘几何资料库标准II’ (‘GDSII’)是一种资料库档案格式，用作集成电路或集成电路布局图的资料交换。
(2023年第85号法律公告)
3D101 为“使用”项目3A101(b)所管制的装备而特别设计或改装的“软件”；
(2021年第89号法律公告)
3D225 为提升或释放频率转变器或频率产生器的性能以符合项目3A225的特性而特别设计的“软件”；
(2017年第42号法律公告)
3E 技术
3E001 按照一般技术注释所载，供“发展”或“生产”项目3A、3B或3C指明的装备或物料的“技术”；
注释∶
1. 项目3E001不包括项目3A003指明的装备或零件的“技术”。 (2021年第89号法律公告)
2. 项目3E001不包括项目3A001(a)(3)至(12)指明的集成电路、并具有下述所有特性的“技术”∶ (2021年第89号法律公告)
(a) 应用于0.130微米或以上的“技术”； (2011年第161号法律公告)
(b) 含多层膜结构，而其中有三层或少于三层的金属膜。 (2011年第161号法律公告)
3. 项目3E001不管制‘生产程序设计套件’，除非有关套件包括项目3A001指明物品所采用的资料库功能或技术。
技术注释：
‘生产程序设计套件’是由半导体制造商提供的软件工具，以确保顾及所需的设计做法及规则，从而按照技术及制造局限，在特定半导体制造过程中，成功生产特定的集成电路设计(每个半导体制造过程都有其特定的‘生产程序设计套件’)。 (2021年第89号法律公告)
(2008年第254号法律公告)
3E002 一般技术注释所载的“技术” (项目3E001指明的“技术”除外)，而该等技术是用于“发展”或“生产” “微处理器微电路”、“微电脑微电路”或微控制器微电路核心，而该等电路及核心具有存取宽度为32位元或以上的运算逻辑单元，且具有以下任何一项特点或特性∶
(a) 设计能以‘浮点’向量(一维阵列的32-位元或更大数目)同时执行多于两个运算的‘向量处理单元’；
技术注释∶
‘向量处理单元’为具有内置式指令，能以‘浮点’向量(一维阵列的32-位元或更大数目)同时执行多重运算，并且具有至少一个向量运算逻辑单元及具至少32个元件的向量暂存器的处理器元件。 (2021年第89号法律公告)
(b) 设计作每周期计算超过四次64-位元或更大的‘浮点’运算结果； (2015年第27号法律公告)
(c) 设计作每周期计算超过八次16-位元的‘定点’乘法累计结果(例如以数码方式处理先前已转为数码形式的模拟讯息，亦称为数码“讯号处理”)； (2021年第89号法律公告；2023年第85号法律公告)
注释∶
(由2021年第89号法律公告废除)
技术注释：
1. 就项目3E002(a)及3E002(b)而言，‘浮点’由IEEE-754所界定。
2. 就项目3E002(c)而言，‘定点’指兼具整数部分及分数部分的固定宽度实数，但不包括纯整数格式。 (2023年第85号法律公告)
注释∶ (2023年第85号法律公告)
1. 项目3E002不管制多媒体指令的“技术”。 (2021年第89号法律公告；2023年第85号法律公告)
2. 项目3E002不包括具有以下所有特性的微处理器核心的“技术”：
(a) 应用0.130微米或以上的“技术”；
(b) 含5层或以下金属膜的多层膜结构。 (2021年第89号法律公告)
3. 项目3E002包括用于“发展”或“生产”数字讯号处理器及数码阵列处理器的“技术”。 (2021年第89号法律公告)
(2008年第254号法律公告)
(a) 真空微电子装置；
(b) 例如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质双极晶体管(HBT)、量子井及超晶格装置的异质结构半导体电子装置； (2009年第226号法律公告；2013年第89号法律公告)
注释：
项目3E003(b)不管制供高电子迁移率晶体管(HEMT)在低于31.8千兆赫的频率操作或异质接面双极晶体管(HBT)在低于31.8千兆赫的频率操作的“技术”。 (2004年第65号法律公告；2009年第226号法律公告；2021年第89号法律公告)
(c) “超导体”电子装置；
(d) 电子零件的钻石基片； (2023年第85号法律公告)
(e) 用于绝缘体为二氧化矽的集成电路的矽面绝缘体(SOI)基片；
(f) 用于电子零件的碳化矽基片； (2001年第132号法律公告)
(g) 操作频率在31.8千兆赫或以上的“真空电子装置”； (2004年第65号法律公告；2021年第89号法律公告)
(h) 用于电子零件的氧化镓基片； (2023年第85号法律公告)
3E004 将直径300毫米的矽晶片切片、研磨和磨光的“所需” “技术”，用以在晶片正面表面任何26毫米×8毫米部位达到相等于20毫微米或以下的‘表面基准部位平坦度指标’ (‘SFQR’)，以及达到2毫米或以下的边缘剔除。
技术注释：
就项目3E004而言，‘SFQR’指偏离正面参考平面的最大偏差及最小偏差的范围，计算时以所有正面表面数据(包括某部位内的部位边界)采用最小平方法得出。
(2023年第85号法律公告)
3E101 按照一般技术注释所载，“使用”项目3A001(a)(1)或(2)、3A101、3A102或3D101指明的装备或“软件”的“技术”；
(2008年第254号法律公告)
3E102 按照一般技术注释所载，“发展”项目3D101所管制的“软件”的“技术”；
3E201 按照一般技术注释所载，“使用”项目3A001(e)(2)、3A001(e)(3)、3A001(g)、3A201、3A225至3A234指明的装备的“技术”；
(1999年第183号法律公告；2008年第254号法律公告；2017年第42号法律公告)
3E225 为提升或释放频率转变器或频率产生器的性能以符合项目3A225的特性的“技术” (属密钥或编码型态者)；
(2017年第42号法律公告)