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類別3——電子

 

 

3A       系統、裝備及零件

註釋:

           1.    項目3A0013A002所描述的(項目3A001(a)(3)3A001(a)(10)3A001(a)(12)3A001(a)(14)所描述除外)為其他裝備而特別設計,或具有與其他裝備相同的功能特性的裝備及零件的管制狀況,由該其他裝備的管制狀況決定。

           2.    項目3A001(a)(3)3A001(a)(9)3A001(a)(12)3A001(a)(14)所述,為其他裝備的特定功能作不可變更程式或設計的集成電路的管制狀況,由該其他裝備的管制狀況決定。

注意:

當製造商或申請者無法決定其他裝備的管制狀況時,該集成電路的管制狀況應於項目3A001(a)(3)3A001(a)(9)3A001(a)(12)3A001(a)(14)中決定。 (2009年第226號法律公告;2015年第27號法律公告)

(2013年第89號法律公告;2021年第89號法律公告)

 

3A001        以下的電子物品: (2021年第89號法律公告)

          (a)    以下的一般用途集成電路:

註釋:

           1.    功能已確定的晶圖(完成或未完成)的管制狀況應依據項目3A001(a)的參數評估。

           2.    集成電路包括下列類型:

單塊集成電路

混合集成電路

多晶粒集成電路

薄膜型集成電路,包括矽成長在藍寶石上的集成電路;

光集成電路 (2015年第27號法律公告)

三維集成電路 (2021年第89號法律公告)

單塊微波集成電路” (“MMICs”) (2021年第89號法律公告)

          (1)    經設計或評定為輻射硬化至下列任何一項的集成電路:

          (a)    可承受5×103戈瑞()或以上的總劑量; (2004年第65號法律公告)

          (b)    可承受5×106戈瑞()/秒或以上的劑量率; (2004年第65號法律公告)

          (c)    可承受5×1013中子/平方厘米或以上的硅中子通量(集成通量)(相等於1兆電子伏),或其他物料的相等通量;

註釋:

項目3A001(a)(1)(c)不適用於金屬絕緣半導體(MIS) (2004年第65號法律公告)

          (2)    具有下列任何特性的微處理器微電路微電腦微電路、微控制器微電路、由化合物半導體所製造的貯存集成電路、模擬-數字轉換器、包含模擬-數字轉換器及儲存或處理數碼化資料的集成電路、數字-模擬轉換器、為訊號處理而設計的光電及光集成電路、可場程式邏輯裝置、未知其功能或其應用裝備的管制狀況的客戶委託型集成電路、快速傅里葉轉換(FFT)處理器、靜態隨機存取記憶體(SRAMs)非易失性記憶體 (2001年第132號法律公告;2008年第254號法律公告;2021年第89號法律公告)

          (a)    評定為可於開氏398(攝氏125)以上的周圍溫度操作;

          (b)    評定為可於開氏218(攝氏-55)以下的周圍溫度操作;

          (c) 評定為可於開氏218(攝氏-55)至開氏398(攝氏125)整個周圍溫度範圍內操作;

註釋:

項目3A001(a)(2)不適用於民用汽車或火車應用的集成電路。

技術註釋:

非易失性記憶體是在電源關閉後的一段時間內,仍保留資料的記憶體。 (2021年第89號法律公告)

          (3)    由化合物半導體製造,並以時鐘頻率超過40兆赫操作的微處理器微電路微電腦微電路及微控制器微電路;

註釋:

項目3A001(a)(3)包括數字訊號處理器、數碼陣列處理器及數碼協力處理器。 (2006年第95號法律公告)

          (4)    (2011年第161號法律公告廢除)

          (5)    以下的模擬-數字轉換器(ADC)及數字-模擬轉換器(DAC)集成電路: (2011年第161號法律公告)

          (a)    具有以下任何特性的模擬-數字轉換器:

注意:

           1.    亦須參閱項目3A101

           2.    至於包含模擬-數字轉換器及儲存或處理數碼化資料的集成電路,參閱項目3A001(a)(14)

          (1)    解析度為8位元或以上,但少於10位元,而樣本率大於1.3每秒千兆樣本數目;

          (2)    解析度為10位元或以上,但少於12位元,而樣本率大於600每秒兆樣本數目;

          (3)    解析度為12位元或以上,但少於14位元,而樣本率大於400每秒兆樣本數目;

          (4)    解析度為14位元或以上,但少於16位元,而樣本率大於250每秒兆樣本數目;

          (5)    解析度為16位元或以上,而樣本率大於65每秒兆樣本數目;

技術註釋:

           1.    n位元解析度相當於2n級的量化。

           2.    模擬-數字轉換器的解析度,是由該模擬-數字轉換器的數字輸出位元數目所呈現的測得模擬輸入。有效位元數目(ENOB)不會用以釐定模擬-數字轉換器的解析度。

           3.    多頻道模擬-數字轉換器而言,其樣本率不會被聚集,而該樣本率則為任何一條單一頻道的最高率。

           4.  交叉模擬-數字轉換器或指明具有交叉操作模式的多頻道模擬-數字轉換器而言,其樣本率會被聚集,而該樣本率是所有交叉頻道合計的總最高率。 (2021年第89號法律公告)

          (b)    具有以下任何特性的數字-模擬轉換器(DAC)

          (1)    解析度為10位元或以上,而修正更新率的每秒以兆計的樣本數目為3 500以上; (2017年第42號法律公告)

          (2)    解析度為12位元或以上,而修正更新率的每秒以兆計的樣本數目為1 250以上,並具有以下任何特性: (2017年第42號法律公告)

          (a)    安定時間少於9毫微秒至0.024%的全幅階;

          (b)    當綜合100兆赫的全幅模擬訊號或低於100兆赫的指明最高全幅模擬訊號頻率時,無雜波動態範圍’(SFDR)大於68載波分貝(載體)

技術註釋:

           1.    無雜波動態範圍’(SFDR)的定義為在數字-模擬轉換器的輸入處的載體頻率(最高訊號零件)的均方根值相對於在其輸出處的第二大聲音或諧波失真零件的均方根值的比率。

           2.    無雜波動態範圍直接透過規格表或無雜波動態範圍相對於頻率的特性標繪圖測定。

           3.    當訊號的振幅大於–3分貝滿刻度記錄(全幅),該訊號會被定義為全幅。

           4.    數字-模擬轉換器的修正更新率為:

          (a)    就傳統(非內插式)數字-模擬轉換器而言,修正更新率是數字訊號轉換為模擬訊號以及數字-模擬轉換器改變輸出模擬值的速度。就可跨越內插模式的數字-模擬轉換器(內插因子為1)而言,該數字-模擬轉換器可被視為傳統(非內插式)數字-模擬轉換器。

          (b)    就內插式數字-模擬轉換器(超採樣數字-模擬轉換器)而言,修正更新率的定義為數字-模擬轉換器的更新率除以最小內插因子。就內插式數字-模擬轉換器而言,修正更新率可參照以下不同名詞,包括:

          (1)    數據輸入率;

          (2)    字詞輸入率;

          (3)    樣本輸入率;

          (4)    最大總匯流輸入率;

          (5)    數字-模擬轉換器計時器時鐘脈衝輸入的數字-模擬轉換器計時器最高時鐘頻率。 (2011年第161號法律公告)

          (6)    具有下列各項而作為訊號處理的光電及光集成電路

          (a)    內含一個或以上的雷射器二極管;

          (b)    內含一個或以上的光偵測元件;

          (c)    光導波器;

          (7)    具有下列任何一項特性的可場程式邏輯裝置: (2017年第42號法律公告)

          (a)    單端數碼輸入或輸出的最大數量為700以上; (2013年第89號法律公告)

          (b)    單向最高串行收發器的總數據率為每秒500千兆位元或大於每秒500千兆位元; (2013年第89號法律公告;2017年第42號法律公告)

註釋:

項目3A001(a)(7)包括:

複雜可程式邏輯裝置(CPLDs)

可場程式閘陣列(FPGAs)

可場程式邏輯陣列(FPLAs)

可場程式相互連結裝置(FPICs)

(2021年第89號法律公告)

注意:

至於結合模擬-數字轉換器的可場程式邏輯裝置集成電路,參閱項目3A001(a)(14) (2021年第89號法律公告)

技術註釋:

           1.    項目3A001(a)(7)(a)的數碼輸入或輸出的最大數量亦稱為最大用者輸入或輸出量或最大可用輸入或輸出量,不論其集成電路屬封裝或裸晶粒。 (2009年第226號法律公告;2017年第42號法律公告)

           2.    單向最高串行收發器的總數據率是最高串行單向收發器數據率乘以可場程式閘陣列上收發器數量得出的數值。 (2013年第89號法律公告;2017年第42號法律公告)

          (8)    已刪除; (2001年第132號法律公告)

          (9)    類神經網絡集成電路;

        (10)    製造商未知其功能或其應用裝備的管制狀況,而具有任何下列一項特性的客戶委託型集成電路;

          (a)    超過1 500個接腳; (2001年第132號法律公告)

          (b)    典型的基本閘傳遞延遲時間少於0.02毫微秒; (2001年第132號法律公告)

          (c)    操作頻率超過3千兆赫; (2009年第226號法律公告)

        (11)    項目3A001(a)(3)3A001(a)(10)3A001(a)(12)所述以外的以任何化合物半導體為主的數字集成電路,並具有任何下列一項特性:

          (a)    超過3 000等效閘數(2個輸入閘) (2001年第132號法律公告)

          (b)    觸發頻率超過1.2千兆赫;

        (12) N-點複數FFT的額定執行時間少於(N log2 N)/20 480毫秒的快速傅里葉轉換(FFT)處理器,其中N為點數;

技術註釋:

N等於1 024點,項目3A001(a)(12)的方程式計算出的執行時間為500微秒。 (2001年第132號法律公告)

        (13)    具有下列任何特性的直接數字頻率合成器(DDS)集成電路:

          (a)   數字-模擬轉換器(DAC)時鐘頻率為3.5千兆赫或更高,以及數字-模擬轉換器(DAC)解析度為10位元或更高,但少於12位元;

          (b)    數字-模擬轉換器(DAC)時鐘頻率為1.25千兆赫或更高,以及數字-模擬轉換(DAC)解析度為12 位元或更高;

技術註釋:

數字-模擬轉換器(DAC)時鐘頻率可指明為主時鐘頻率或輸入時鐘頻率。 (2013年第89號法律公告)

        (14)    發揮或可程式設計發揮以下所有功能的集成電路:

          (a)    符合以下任何描述的模擬-數字轉換功能:

          (1)    解析度為8位元或以上,但少於10位元,而樣本率大於1.3每秒千兆樣本數目;

          (2)    解析度為10位元或以上,但少於12位元,而樣本率大於1.0每秒千兆樣本數目;

          (3)    解析度為12位元或以上,但少於14位元,而樣本率大於1.0每秒千兆樣本數目;

          (4)    解析度為14位元或以上,但少於16位元,而樣本率大於400每秒兆樣本數目;

          (5)    解析度為16位元或以上,而樣本率大於180每秒兆樣本數目;

          (b)    以下任何一項功能:

          (1)    儲存數碼化資料;

          (2)    處理數碼化資料;

注意:

           1.    至於模擬-數字轉換器集成電路,參閱項目3A001(a)(5)(a)

           2.    至於可場程式邏輯裝置,參閱項目3A001(a)(7)

技術註釋:

           1.    n位元解析度相當於2n級的量化。

           2.    模擬-數字轉換器的解析度,是由該模擬-數字轉換器的數字輸出位元數目所呈現的測得模擬輸入。有效位元數目(ENOB)不會用以釐定模擬-數字轉換器的解析度。

           3.    就具有非交叉多頻道模擬-數字轉換器的集成電路而言,其樣本率不會被聚集,而該樣本率則為任何一條單一頻道的最高率。

           4.    就具有交叉模擬-數字轉換器的集成電路或指明具有交叉操作模式的多頻道模擬-數字轉換器的集成電路而言,其樣本率會被聚集,而該樣本率是所有交叉頻道合計的總最高率。 (2021年第89號法律公告)

          (b)    以下的微波或毫米波物品: (2021年第89號法律公告)

技術註釋:

就項目3A001(b)而言,在產品資料單張中,參數峰值飽和功率輸出可稱為輸出功率、飽和功率輸出、最大功率輸出、峰值功率輸出或峰包功率輸出。 (2015年第27號法律公告)

          (1)    以下的真空電子裝置及陰極: (2021年第89號法律公告)

註釋

           1.    項目3A001(b)(1)不管制額定於或在設計上供於符合下列兩項特性的任何頻帶內操作的真空電子裝置 (2021年第89號法律公告)

          (a)    不超過31.8千兆赫;

          (b)    由國際電信聯盟指配用於無線電通訊服務,但並非用於無線電測定。

           2.    項目3A001(b)(1)不管制符合下列兩項特性的並非屬太空級真空電子裝置 (2021年第89號法律公告)

          (a)    平均輸出功率相等於或小於50瓦;

          (b)    額定於或在設計上供於符合下列兩項特性的任何頻帶內操作:

          (1)    超過31.8千兆赫但不超過43.5千兆赫;

          (2)    由國際電信聯盟指配用於無線電通訊服務,但並非用於無線電測定。 (2004年第65號法律公告)

          (a)    以下的脈衝波或連續波行波真空電子裝置

          (1)    操作頻率超過31.8千兆赫;

          (2)    可在少於3秒內啟動至額定射頻(RF)功率的陰極加熱元件;

          (3)    耦腔式行波裝置或該等耦腔式行波裝置的衍生物,而其分頻寬超過7%或峰值功率超過2.5千瓦;

          (4)    以螺旋線、摺疊導波器或蛇形導波器電路或其衍生物為基礎,並具有以下任何一項特性:

          (a)    瞬間頻寬超過一個倍頻,而平均功率(千瓦)乘以頻率(千兆赫)超過0.5

          (b)    瞬間頻寬為一個或以下倍頻,而平均功率(千瓦)乘以頻率(千兆赫)超過1

          (c)    太空級

          (d)    具備柵控電子槍;

          (5)    分頻寬超過或等於10%,並具備以下任何一項

          (a)    環形電子束;

          (b)    非軸向對稱電子束;

          (c)    多重電子束; (2021年第89號法律公告)

          (b)    增益超過17分貝的交叉場放大真空電子裝置 (2021年第89號法律公告)

          (c)    為使真空電子裝置可在額定操作條件下發射電流密度超過5安培平方厘米,或可在額定操作條件下發射脈衝(非連續)電流密度超過10安培平方厘米而設計的熱離子陰極; (2021年第89號法律公告)

          (d)    具有雙重模式操作功能的真空電子裝置

技術註釋:

雙重模式指可使用柵蓄意切換連續波與脈衝模式操作的真空電子裝置束電流,並產生大於連續波輸出功率的峰值脈衝輸出功率。 (2021年第89號法律公告)

          (2)    具有以下任何特性的單塊微波集成電路” (“MMIC”)放大器:

注意:

至於具備集成移相器的“MMIC”放大器,參閱項目3A001(b)(12) (2021年第89號法律公告)

          (a)    額定於2.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的頻率操作,而分頻寬超過15%,並具有任何下述特性

          (1)    2.7千兆赫以上至2.9千兆赫(包括2.9千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過75(48.75 dBm)

          (2)    2.9千兆赫以上至3.2千兆赫(包括3.2千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過55(47.4 dBm)

          (3)    3.2千兆赫以上至3.7千兆赫(包括3.7千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過40(46 dBm)

          (4)    3.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過20(43 dBm)

          (b)    額定於6.8千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的頻率操作,而分頻寬超過10%,並具有任何下述特性

          (1)    6.8千兆赫以上至8.5千兆赫(包括8.5千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過10(40 dBm)

          (2)    8.5千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過5(37 dBm)

          (c)    額定於16千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過3(34.77 dBm),而分頻寬超過10%

          (d)    額定於31.8千兆赫以上至37千兆赫(包括37千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過0.1納瓦(-70 dBm)

          (e)    額定於37千兆赫以上至43.5千兆赫(包括43.5千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過1(30 dBm),而分頻寬超過10%

          (f)    額定於43.5千兆赫以上至75千兆赫(包括75千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過31.62毫瓦(15 dBm),而分頻寬超過10%

          (g)    額定於75千兆赫以上至90千兆赫(包括90千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過10毫瓦(10 dBm),而分頻寬超過5%

          (h)    額定於90千兆赫以上的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過0.1納瓦(-70 dBm) (2015年第27號法律公告)

註釋:

           1.    (2011年第161號法律公告廢除)

           2.    “MMIC”的額定操作頻率,涵蓋列於超過一個頻率範圍(由項目3A001(b)(2)(a)3A001(b)(2)(h)所界定)的頻率,該“MMIC”的管制狀況,須按當中最低的峰值飽和功率輸出限度斷定。 (2015年第27號法律公告)

           3.    在類別3分類別3A中的註釋12的意思是如“MMICs”是為其他用途(例如電訊、雷達、汽車)而特別設計,則項目3A001(b)(2)不適用於該等“MMICs” (2004年第65號法律公告;2011年第161號法律公告;2021年第89號法律公告)

          (3)    符合任何下述說明的離散微波晶體管:

          (a)    額定於2.7千兆赫以上至6.8 千兆赫(包括6.8千兆赫)的頻率操作,並具有任何下述特性

          (1)    2.7千兆赫以上至2.9千兆赫(包括2.9千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過400(56 dBm)

          (2)    2.9千兆赫以上至3.2千兆赫(包括3.2千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過205(53.12 dBm)

          (3)    3.2千兆赫以上至3.7千兆赫(包括3.7千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過115(50.61 dBm)

          (4)    3.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過60(47.78 dBm)

          (b)    額定於6.8千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的頻率操作,並具有任何下述特性

          (1)    6.8千兆赫以上至8.5千兆赫(包括8.5千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過50(47 dBm)

          (2)    8.5千兆赫以上至12千兆赫(包括12千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過15(41.76 dBm)

          (3)    12千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過40(46 dBm)

          (4)    16千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過7(38.45 dBm)

          (c)    額定於31.8千兆赫以上至37千兆赫(包括37千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過0.5(27 dBm)

          (d)    額定於37千兆赫以上至43.5千兆赫(包括43.5千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過1(30 dBm)

          (e)    額定於43.5千兆赫以上的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過0.1納瓦(-70 dBm)

          (f)    (項目3A001(b)(3)(a)3A001(b)(3)(e)所指明者除外)額定於任何超過8.5千兆赫但不多於31.8千兆赫的頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過5(37.0 dBm) (2021年第89號法律公告)

註釋:

           1.    如晶體管的額定操作頻率,涵蓋列於超過一個頻率範圍(由項目3A001(b)(3)(a)3A001(b)(3)(e)所界定)的頻率,該晶體管的管制狀況,須按當中最低的峰值飽和功率輸出限度斷定。

           2.    項目3A001(b)(3)包括裸芯片、安裝在承載體上的芯片、或安裝在包裝上的芯片。部分離散晶體管可稱為功率放大器,但該等離散晶體管的管制狀況,須按項目3A001(b)(3)斷定。 (2015年第27號法律公告)

          (4)    符合任何下述說明的固態微波放大器及含有固態微波放大器的微波組件模組

          (a)    額定於2.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的頻率操作,而分頻寬超過15%,並具有任何下述特性

          (1)    2.7千兆赫以上至2.9千兆赫(包括2.9千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過500(57 dBm)

          (2)    2.9千兆赫以上至3.2千兆赫(包括3.2千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過270(54.3 dBm)

          (3)    3.2千兆赫以上至3.7千兆赫(包括3.7千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過200(53 dBm)

          (4)    3.7千兆赫以上至6.8千兆赫(包括6.8千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過90(49.54 dBm)

          (b)    額定於6.8千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的頻率操作,而分頻寬超過10%,並具有任何下述特性

          (1)    6.8千兆赫以上至8.5千兆赫(包括8.5千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過70(48.54 dBm)

          (2)    8.5千兆赫以上至12千兆赫(包括12千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過50(47 dBm)

          (3)    12千兆赫以上至16千兆赫(包括16千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過30(44.77 dBm)

          (4)    16千兆赫以上至31.8千兆赫(包括31.8千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過20(43 dBm)

          (c)    額定於31.8千兆赫以上至37千兆赫(包括37千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過0.5(27 dBm)

          (d)    額定於37千兆赫以上至43.5千兆赫(包括43.5千兆赫)的任何頻率操作,操作時峰值飽和功率輸出超過2(33 dBm),而分頻寬超過10%

          (e)    額定於43.5千兆赫以上的頻率操作,並具有任何下述特性

          (1)    43.5千兆赫以上至75千兆赫(包括75千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過0.2(23 dBm),而分頻寬超過10%

          (2)    75千兆赫以上至90千兆赫(包括90千兆赫)的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過20毫瓦(13 dBm),而分頻寬超過5%

          (3)    90千兆赫以上的任何頻率,峰值飽和功率輸出超過0.1納瓦(-70 dBm)

          (f)    (2021年第89號法律公告廢除)

注意:

           1.    至於“MMIC”放大器,參閱項目3A001(b)(2)

           2.    至於傳送接收模組傳送模組,參閱項目3A001(b)(12)

           3.    至於為擴增訊號分析器、訊號產生器、網絡分析儀或微波測試接收器的操作範圍或頻率範圍而設計的轉換器及諧波混音器,參閱項目3A001(b)(7) (2021年第89號法律公告)

註釋:

           1.    (2011年第161號法律公告廢除)

           2.    如物品的額定操作頻率,涵蓋列於超過一個頻率範圍(由項目3A001(b)(4)(a)3A001(b)(4)(e)所界定)的頻率,該物品的管制狀況,須按當中最低的峰值飽和功率輸出限度斷定。 (2015年第27號法律公告)

           3.    (2021年第89號法律公告廢除)

          (5)    具有超過5個可調共振器,能於少於10微秒調諧1.5:1頻帶(最高頻點/最低頻點)的電子式或磁式可調帶通或帶止濾波器,並具有以下任何一項特性:

          (a)    超過中心頻率0.5%的帶通頻寬;

          (b)    低於中心頻率0.5%的帶止頻寬;

          (6)    已刪除; (2004年第65號法律公告)

          (7)    符合任何以下描述的轉換器及諧波混音器:

          (a)    為擴增訊號分析器的頻率範圍至超過90千兆赫而設計;

          (b)    為擴增訊號產生器的操作範圍至符合以下任何一項而設計:

          (1)    超過90千兆赫;

          (2)    在超過43.5千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內,輸出功率均超過100毫瓦(20分貝毫瓦)

          (c)    為擴增網絡分析儀的操作範圍至符合以下任何一項而設計:

          (1)    超過110千兆赫;

          (2)    在超過43.5千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內,輸出功率均超過31.62毫瓦(15分貝毫瓦)

          (3)    在超過90千兆赫但不超過110千兆赫的頻率範圍內,輸出功率均超過1毫瓦(0分貝毫瓦)

          (d)    為擴增微波測試接收器的頻率範圍至超過110千兆赫而設計; (2017年第42號法律公告)

          (8)    包含項目3A001(b)(1)指明的真空電子裝置的微波功率放大器,並具有下列所有特性者: (2008年第254號法律公告;2021年第89號法律公告)

          (a)    操作頻率高於3千兆赫;

          (b)    平均輸出功率質量比超過80瓦/公斤; (2009年第226號法律公告;2010年第45號法律公告)

          (c)    體積小於400立方厘米;

註釋

項目3A001(b)(8)不包括經設計或額定於由國際電信聯盟指配用於無線電通訊服務,而並非指配用於無線電測定的頻帶內操作的裝備。 (2001年第132號法律公告;2008年第254號法律公告)

          (9)    具有下述所有特性的、包含至少1個行波真空電子裝置1單塊微波集成電路” (“MMIC”)1個集成電子電源調節器的微波功率模組 (2021年第89號法律公告)

          (a)    由關閉狀態至全面運作的啟動時間少於10秒;

          (b)    體積少於最高額定功率(以瓦特計)乘以每瓦特10立方厘米;

          (c)    具有以下任何一項特性,超過1個倍頻(f max > 2f min)瞬間頻寬

          (1)    (如頻率等於或小於18千兆赫)射頻輸出功率大於100瓦;

          (2)    頻率大於18千兆赫;

技術註釋

           1.    項目3A001(b)(9)(a)所指的啟動時間為微波功率模組由完全關閉狀態達致全面運作所需的時間,即包括模組預熱的時間。

           2.    為計算項目3A001(b)(9)(b)的體積,提供以下例子:如最高額定功率為20瓦,則體積為:20×10立方厘米/瓦=200立方厘米。 (2008年第254號法律公告)

        (10)    震盪器或震盪器的組件,而該等震盪器或組件是為操作時具有以下單一旁頻帶(SSB)雜訊而指明的:於F(操作頻率的偏離值)不小於10赫但不超過10千赫的範圍內,該單一旁頻帶(SSB)雜訊以載波分貝赫為單位計算,小於(優於)-(126+20 log 10F - 20 log10f) (2017年第42號法律公告)

技術註釋:

在項目3A001(b)(10)中,F為操作頻率的偏離值()f則為操作頻率兆赫。 (2009年第226號法律公告)

        (11)    頻率切換時間為以下任何一項指明者的頻率合成器” “電子組件 (2011年第161號法律公告)

          (a)    少於143微微秒; (2013年第89號法律公告)

          (b)    於超過4.8千兆赫但不超過31.8千兆赫的合成頻率範圍內超過2.2千兆赫的任何頻率轉變,需時少於100微秒; (2013年第89號法律公告)

          (c)    (2021年第89號法律公告廢除)

          (d) 於超過31.8千兆赫但不超過37千兆赫的合成頻率範圍內超過550兆赫的任何頻率轉變,需時少於500微秒;

          (e) 於超過37千兆赫但不超過90千兆赫的合成頻率範圍內超過2.2千兆赫的任何頻率轉變,需時少於100微秒; (2013年第89號法律公告)

          (f)    (2021年第89號法律公告廢除)

          (g)    於超過90千兆赫的合成頻率範圍內,需時少於1毫秒; (2013年第89號法律公告;2017年第42號法律公告;2021年第89號法律公告)

注意:

就一般用途的訊號分析器、訊號產生器、網絡分析儀及微波測試接收器而言,分別參閱項目3A002(c)3A002(d)3A002(e)3A002(f) (2010年第45號法律公告)

        (12)    額定於2.7千兆赫以上的頻率操作,並符合以下所有描述的傳送接收模組傳送接收MMICs’傳送模組傳送MMICs’

          (a)    其峰值飽和功率輸出(Psat)(以瓦特計算)大於505.62除以任何頻道的最高操作頻率(以千兆赫計算)的二次方[Psat> 505.62 W*GHz2/fGHz2]

          (b)    其任何頻道的分頻寬5%或以上;

          (c)    其任何平面的長度d(以厘米計算)等於或少於15除以最低操作頻率(以千兆赫計算)[d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz],而N是傳送頻道或傳送接收頻道的數目;

          (d)    每個頻道的電子可變移相器;

技術註釋:

           1.    傳送接收模組,指提供雙向振幅與相位控制以傳送和接收訊號的多功能電子組件

           2.    傳送模組,指提供振幅與相位控制以傳送訊號的電子組件

           3.    傳送接收MMIC’,指提供雙向振幅與相位控制以傳送和接收訊號的多功能“MMIC”

           4.    傳送MMIC’,指提供振幅與相位控制以傳送訊號的“MMIC”

           5.   就具有向下延展至2.7千兆赫或以下的額定操作範圍的傳送接收模組傳送模組而言,在項目3A001(b)(12)(c)的公式中,應使用2.7千兆赫作為最低操作頻率(fGHz)[d ≤ 15 cm*GHz*N/2.7 GHz]

           6.    項目3A001(b)(12)適用於傳送接收模組傳送模組’(不論是否具備散熱片)。在項目3A001(b)(12)(c)中,長度d的值不包括發揮散熱片功能的傳送接收模組傳送模組的任何部分。

           7.    傳送接收模組傳送接收MMICs’傳送模組傳送MMICs’不一定具備為數等於N的整合輻射天線元件,而N是傳送頻道或傳送接收頻道的數目。 (2021年第89號法律公告)

          (c)    以下的聲波裝置及為其而特別設計的零件:

          (1)    具有下列任何一項特性的表面聲波及淺體聲波裝置: (2009年第226號法律公告)

          (a)    載波頻率超過6千兆赫;

          (b)    載波頻率超過1千兆赫但不超過6千兆赫並具有以下任何一項特性: (2008年第254號法律公告)

          (1)    旁帶頻率排斥超過65分貝; (2009年第226號法律公告)

          (2)    最大延遲時間與頻寬(時間以微秒為單位,頻寬以兆赫為單位)的乘積超過100

          (3)    頻寬超過250兆赫;

          (4)    擴散延遲時間超過10微秒;

          (c)    載波頻率1千兆赫或以下,具有以下任何一項特性:

          (1)    最大延遲時間與頻寬(時間以微秒為單位,頻寬以兆赫為單位)的乘積超過100

          (2)    擴散延遲時間超過10微秒;

          (3)    旁帶頻率排斥超過65分貝及頻寬超過100兆赫; (2009年第226號法律公告)

技術註釋:

旁帶頻率排斥一詞指數據表中指明的最大排斥值。 (2009年第226號法律公告)

          (2)    可直接處理頻率超過6千兆赫訊號的本體聲波裝置; (2008年第254號法律公告;2009年第226號法律公告)

          (3)    利用聲波(本體波或表面波)與光波的相互作用直接處理訊號或影像,包括頻譜分析,關連或捲旋的聲光訊號處理裝置; (2008年第254號法律公告)

註釋:

項目3A001(c)不包括只限於單帶通、低通、高通或陷波濾波或共振功能的聲波裝置。 (2009年第226號法律公告)

          (d)    含有超導體物料製造的零件的電子裝置或線路,而該等物料是特別設計以在至少一種超導體組成原料的臨界溫度以下操作的,且該等零件具有下列任何一項特性:

          (1)    利用超導體閘作數字電路的電流切換,每閘的延遲時間(以秒計算)與消耗功率(以瓦特計算)的乘積小於10-14焦耳;

          (2)    採用Q值超過10 000的共振電路在所有頻率上作頻率選擇; (2001年第132號法律公告)

          (e)    以下的高能量裝置:

          (1)    以下的電池

          (a)    在攝氏20度時具有以下任何一項特性的原電池

          (1)    能量密度超過550瓦小時公斤及連續功率密度超過50公斤;

          (2)    能量密度超過50瓦小時公斤及連續功率密度超過350公斤; (2021年第89號法律公告)

          (b)    在攝氏20度時,能量密度超過350瓦小時/公斤的蓄電池 (2013年第89號法律公告;2021年第89號法律公告)

技術註釋

           1.    就項目3A001(e)(1)而言,能量密度’(瓦小時/公斤)的計算方式是以標稱電壓乘以額定容量(安培小時),再除以質量(公斤)。如無列明額定容量,能量密度的計算方式如下以標稱電壓平方乘以放電所需的小時單位,再除以放電量(歐姆)和質量(公斤)

           2.    就項目3A001(e)(1)而言,電池為具有正負電極和電解液,用作供應電能量的電化學裝置。電池為電池組的基本組成部分。

           3.    就項目3A001(e)(1)(a)而言,原電池為並非經設計以任何其他電源充電的電池

           4.    就項目3A001(e)(1)(b)而言,蓄電池為經設計以外部電源充電的電池

           5.    就項目3A001(e)(1)(a)而言,連續功率密度’(公斤)的計算方式,是以標稱電壓乘以指明最大連續放電電流(安培),再除以質量(公斤)連續功率密度亦稱為比功率。 (2021年第89號法律公告)

註釋

項目3A001(e)(1)不包括單顆電池組或其他電池組。 (2008年第254號法律公告)

          (2)    以下的高能量貯存電容器:

注意:

並參閱項目3A201(a)及軍需物品清單。 (2015年第27號法律公告)

          (a)    重覆率低於10赫而具有下列所有特性的電容器(單射電容器)

          (1)    額定電壓等於5千伏特或以上者;

          (2)    能量密度等於250焦耳/公斤或以上者;

          (3)    總能量等於25千焦耳或以上者;

          (b)    重覆率等於10赫或以上,而具有下列所有特性的電容器(重覆額定電容器)

          (1)    額定電壓等於5千伏或以上者;

          (2)    能量密度等於50焦耳/公斤或以上者;

          (3)    總能量等於100焦耳或以上者;

          (4)    充電/放電循環壽命等於10 000或以上者;

          (3)    可在少於1秒完全充電或放電而特別設計的並具有下列所有特性的超導體電磁鐵或螺線管:

注意:

並參閱項目3A201(b)

          (a)    在放電期間的首一秒內所放出的能量超過10千焦耳;

          (b)    載流線圈的內直徑超過250毫米;

          (c)    額定磁感應超過8泰斯拉,或線圈內的總電流密度超過300安培/平方毫米;

註釋:

項目3A001(e)(3)不管制為磁共振影像(MRI)醫療設備而特別設計的超導體電磁鐵或螺線管。

          (4)    太空級、在模擬空氣質量零照度下,輻照量為1 367瓦/平方米,而環境溫度為開氏301(攝氏28)時,具有最低平均效率超過20%的太陽能電池、相連電池蓋玻片組件、太陽能光伏板和光伏方陣;

技術註釋

空氣質量零指地球和太陽之間的距離為一天文單位時,地球外大氣層在陽光照射下所接受的光譜輻照度。 (2008年第254號法律公告)

          (f)  精度相等於或小於(優於)1.0秒弧度的旋轉輸入型絕對位置編碼器,以及為其特別設計的編碼環、盤或標尺; (2009年第226號法律公告;2021年第89號法律公告)

          (g)    以電力、光學或電子輻射控制開關,並具有以下任何一項特性的固體脈衝半導體開關元件和半導體開關組件

          (1)    最高啟動電流提升率(di/dt)超過30 000安培/微秒,而關閉狀態的電壓超過1 100伏特;

          (2)    最高啟動電流提升率(di/dt)超過2 000安培/微秒,並具有下述所有特性:

          (a)    關閉狀態的峰值電壓等於或超過3 000伏特;

          (b)    峰值(浪湧)電流等於或超過3 000安培;

註釋:

           1.    項目3A001(g)包括:

——可控矽整流器

——電子觸發半導體開關元件

——光源觸發半導體開關元件

——集成閘整流半導體開關元件

——閘關斷半導體開關元件

——金氧半導體控制開關元件

——Solidtrons

           2.    項目3A001(g)不包括裝置在為供民用鐵路或民用飛機使用而設計的裝備的半導體開關元件和半導體開關組件

技術註釋:

就項目3A001(g)而言,半導體開關組件含一個或多於一個半導體開關元件。 (2008年第254號法律公告)

          (h)    具有下列所有特性的固體動力半導體開關、二極管或開關組件

          (1)    最高操作面結溫度評定為高於開氏488(攝氏215)

          (2)    關閉狀態重複峰值電壓(阻塞電壓)超過300伏特;

          (3)    持續電流超過1安倍;

註釋:

           1.    項目3A001(h)的關閉狀態重複峰值電壓包括漏極到源極間的電壓、集電極到發射極間的電壓、反向重複峰值電壓及關閉狀態重複峰值阻塞電壓。

           2.    項目3A001(h)包括:

接合場效應晶體管(JFETs)

垂向結型場效應晶體管(VJFETs)

金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFETs)

雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管(DDMOSFET)

絕緣閘雙極晶體管(IGBT)

高電子遷移率晶體管(HEMTs)

雙極面結型晶體管(BJTs)

半導體開關元件和可控矽整流器(SCRs)

閘關斷半導體開關元件(GTOs)

發射極關斷半導體開關元件(ETOs)

—PiN二極管

肖特基二極管

           3.    項目3A001(h)不包括裝嵌於為民用汽車、民用鐵路或民用飛機的應用而設計的裝備的開關、二極管或開關組件

技術註釋:

就項目3A001(h)而言,開關組件含有一個或多於一個的固體動力半導體開關或二極管。 (2009年第226號法律公告)

           (i)    為模擬訊號而設計,並符合以下任何描述的亮度、幅度或相位電光調制器:

          (1)    最高操作頻率為10千兆赫以上但低於20千兆赫,而光介入損耗等於或少於3分貝,並符合以下任何描述:

          (a)    1千兆赫或以下的頻率下測量時,半波電壓’(‘Vπ’)低於2.7伏特;

          (b)    1千兆赫以上的頻率下測量時,‘Vπ’低於4伏特;

          (2)    最高操作頻率等於或大於20千兆赫,而光介入損耗等於或少於3分貝,並符合以下任何描述:

          (a)    1千兆赫或以下的頻率下測量時,‘Vπ’低於3.3伏特;

          (b)    1千兆赫以上的頻率下測量時,‘Vπ’低於5伏特;

註釋:

項目3A001(i)包括具備光學輸入輸出連接器的電光調制器(例如錐形光纖耦合器)

技術註釋:

就項目3A001(i)而言,半波電壓’(‘Vπ’)是光學調制器所傳遞的光波長作出180度相位變化時所需的外加電壓。 (2021年第89號法律公告)

 

3A002        以下的一般用途電子組件、模組及裝備: (2021年第89號法律公告)

          (a)    以下的記錄裝備及示波器 (2015年第27號法律公告)

    (1)-(4)    (2015年第27號法律公告廢除)

          (5)    已刪除;

注意:

至於波型數字化機及瞬態記錄器,參閱項目3A002(h) (2021年第89號法律公告)

          (6)    符合以下所有描述的數碼資料記錄器:

          (a)    向磁碟或固態驅動記憶體持續輸出6.4千兆位元秒以上的連續輸出流通率

          (b)    於記錄射頻訊號數據時作訊號處理

技術註釋:

           1.    就具有平行匯流排結構的記錄器而言,連續輸出流通率為最高字元率乘以一個字元內的位元數。

           2.    連續輸出流通率是儀器在維持數碼資料輸入率或數字化機轉換率時,在不會損失任何資訊下,能記錄至磁碟或固態驅動記憶體的最快數據率。 (2021年第89號法律公告)

          (7)    在符合下述說明的垂直量程設定的情況下,具有全標度少於2%垂直均方根值(rms)雜訊電壓的實時示波器:在3分貝頻寬為60千兆赫或以上的每個頻道輸入,能得出最低雜訊值;

註釋

項目3A002(a)(7)不適用於相等時間採樣的示波器。 (2015年第27號法律公告)

          (b)    (2010年第45號法律公告廢除)

          (c)    以下的訊號分析器 (2017年第42號法律公告)

          (1)    在任何超過31.8千兆赫但不超過37千兆赫頻率的範圍內,訊號分析器具有超過40兆赫3分貝解析度頻寬(RBW) (2021年第89號法律公告)

          (2)    在任何超過43.5千兆赫但不超過90千兆赫頻率的範圍內,訊號分析器的顯示平均雜訊位準(DANL)小於(優於)–150分貝毫瓦赫; (2013年第89號法律公告)

          (3)    具有超過90千兆赫頻率的訊號分析器 (2013年第89號法律公告)

          (4)    具有下列所有特性的訊號分析器

          (a)    實時頻寬超過170兆赫;

          (b)    符合以下任何描述:

          (1)    100%的發現概率,由於間隙或訊號的開窗效應持續時間為15微秒或以下,全幅減低少於3分貝;

          (2)    就持續時間為15微秒或以下的訊號而言,頻率罩觸發100%的觸發(捕獲)訊號概率運作;

技術註釋:

           1.    在項目3A002(c)(4)(b)(1)中的發現概率,亦稱為截取概率或捕獲概率。

           2.    就項目3A002(c)(4)(b)(1)而言,100%的發現概率的持續時間,相等於指明程度的測量精度誤差所需的最低訊號持續時間。 (2021年第89號法律公告)

註釋

項目3A002(c)(4)不適用於只使用定比率頻濾波器(亦稱為倍頻程或部分倍頻程濾波器)訊號分析器 (2013年第89號法律公告)

          (5)    (2021年第89號法律公告廢除)

          (d)    具有任何以下特性的訊號產生器: (2017年第42號法律公告)

          (1)    指明可在任何超過31.8千兆赫但不超過37千兆赫的頻率範圍內,產生具有下列所有特性的脈衝調制的訊號 (2015年第27號法律公告;2017年第42號法律公告)

          (a)    少於25毫微秒的脈衝持續時間

          (b)    關比率相等於或超過65分貝; (2013年第89號法律公告)

          (2)    在任何超過43.5千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內,輸出功率超過100毫瓦(20分貝毫瓦) (2011年第161號法律公告;2013年第89號法律公告)

          (3)    頻率切換時間為以下指明的時間 (2011年第161號法律公告)

          (a)    (2013年第89號法律公告廢除)

          (b)    於超過4.8千兆赫但不超過31.8千兆赫的頻率範圍內超過2.2千兆赫的任何頻率轉變,需時少於100微秒; (2013年第89號法律公告)

          (c)    (2017年第42號法律公告廢除)

          (d)    於超過31.8千兆赫但不超過37千兆赫的頻率範圍內超過550兆赫的任何頻率轉變,需時少於500微秒; (2011年第161號法律公告)

          (e)    於超過37千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內超過2.2千兆赫的任何頻率轉變,需時少於100 微秒; (2011年第161號法律公告)

          (f)    (2017年第42號法律公告廢除)

          (4)    指明具有下列任何特性的單一旁頻帶(SSB)雜訊(單位為載波分貝) (2017年第42號法律公告)

          (a)    於超過3.2千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內,就在任何F(操作頻率的偏離值)不小於10赫但不超過10千赫的範圍而言,小於(優於)-(126+20 log10F - 20 log10f)

          (b)    於超過3.2千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內,就在任何F(操作頻率的偏離值)超過10千赫但不超過100千赫的範圍而言,小於(優於)-(206 - 20 log10f) (2013年第89號法律公告)

技術註釋:

在項目3A002(d)(4)中,F為操作頻率的偏離值()f則為操作頻率兆赫。 (2009年第226號法律公告)

          (5)    指明符合以下任何描述的數字基帶訊號的射頻調制頻寬

          (a)    在超過4.8千兆赫但不超過31.8千兆赫的頻率範圍內,超過2.2千兆赫;

          (b)    在超過31.8千兆赫但不超過37千兆赫的頻率範圍內,超過550兆赫;

          (c)    在超過37千兆赫但不超過90千兆赫的頻率範圍內,超過2.2千兆赫;

技術註釋:

射頻調制頻寬是調制成射頻訊號的數字編碼基帶訊號所佔用的射頻頻寬。射頻調制頻寬亦稱為資訊頻寬或向量調制頻寬。I/Q數字調制是產生向量調制射頻輸出訊號的技術方法,而該輸出訊號一般指明為具有射頻調制頻寬 (2021年第89號法律公告)

          (6)    最大頻率超過90千兆赫; (2021年第89號法律公告)

註釋

           1.    就項目3A002(d)而言,訊號產生器包括任意波形和函數產生器。

           2.    項目3A002(d)不適用於其輸出頻率是藉以下算式產生的裝備兩個或以上石英振盪頻率的相加或相減,或相加或相減後再乘以有關結果。 (2008年第254號法律公告)

技術註釋